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1. (WO2018122992) RESIST REMOVAL SOLUTION
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/122992 국제출원번호: PCT/JP2016/089014
공개일: 05.07.2018 국제출원일: 28.12.2016
IPC:
G03F 7/42 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
03
전자사진; 광파 이외의 파를 사용하는 유사기술; 영화; 사진; 홀로그래피(Holography)
F
사진제판법에 의한 요철화 또는 패턴화 표면의 제조, 예. 인쇄용, 반도체장치의 제조법용; 그것을 위한 재료; 그것을 위한 원료; 그것을 위한 특별히 적합한 장치
7
사진제판법, 예 사진석판법에 의한 요철화 또는 패턴화된 표면의 제조, 예. 인쇄표면의 제조 그것을 위한 재료, 예. 포토레지스트로 된 것 그것을 위하여 특히 적합한 장치
26
감광재료의 처리; 그것을 위한 장치
42
박리 또는 그것을 위한 처리제
출원인:
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
발명자:
鬼頭 佑典 KITO Yusuke; --
淵上 真一郎 FUCHIGAMI Shinichirou; --
대리인:
廣幸 正樹 HIROKOH Masaki; JP
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) RESIST REMOVAL SOLUTION
(FR) SOLUTION D'ÉLIMINATION DE COUCHE DE RÉSERVE
(JA) レジスト剥離液
요약서:
(EN) In processes for manufacturing semiconductor devices, etc., curing is performed at a temperature higher than in conventional practice to avoid defective curing of resists. A removal solution having a removing power greater than in conventional practice is therefore required. A resist removal solution containing a primary and/or secondary amine as an amine, containing a diethylene glycol monoethyl ether (EDG), a propylene glycol (PG), and water as a polar solvent, and containing hydrazine as an additive, the amine being more than 3.0 mass% and no more than 20.0 mass%, the diethylene glycol monoethyl ether being more than 39.5 mass% and no more than 59.5 mass%, the water being more than 5.18 mass% and less than 28.18 mass%, and the hydrazine being more than 0.064 mass% and no more than 1.28 mass%, wherein the resist removal solution can remove a resist film that was baked at high temperatures, does not cause corrosion at a metal film surface and cross section, and exhibits superior regeneration efficiency when reused.
(FR) Selon l'invention, dans des procédés de fabrication de dispositifs semi-conducteurs, etc., un durcissement est effectué à une température supérieure à celle généralement utilisée afin d'éviter un durcissement défectueux des couches de réserve. Une solution d'élimination présentant une efficacité d'élimination supérieure à celle généralement observée est par conséquent nécessaire. L'invention concerne donc une solution d'élimination de couche de réserve contenant une amine primaire et/ou secondaire en tant qu'amine, un monoéthyléther de diéthylène glycol (EDG), un propylène glycol (PG) et de l'eau en tant que solvant polaire, ainsi que de l'hydrazine en tant qu'additif, l'amine étant présente à hauteur de plus de 3,0 % en masse, mais de pas plus de 20,0 % en masse, l'éther monoéthylique de diéthylène glycol étant présent à hauteur de plus de 39,5 % en masse, mais de pas plus de 59,5 % en masse, l'eau étant présente à hauteur de plus de 5,18 % en masse, mais de moins de 28,18 % en masse, et l'hydrazine étant présente à hauteur de plus de 0,064 % en masse, mais de pas plus de 1,28 % en masse, la solution d'élimination de couche de réserve pouvant éliminer un film de réserve cuit à haute température, ne provoquant pas de corrosion ni au niveau de la surface du film métallique, ni au niveau de sa section transversale et présentant une efficacité de régénération supérieure en cas de réutilisation.
(JA) 半導体装置等の製造プロセスでは、従来より高温度で硬化を行いレジストの硬化不良を回避している。したがって、従来より剥離力の強い剥離液が必要となる。 アミン類として一級若しくは二級アミンの少なくとも一方と、極性溶媒として、ジエチレングリコールモノエチルエーテル(EDG)と、プロピレングリコール(PG)と、水を含み、添加剤としてヒドラジンを含み、前記アミン類は、3.0質量%より多く、20.0質量%以下であり、前記ジエチレングリコールモノエチルエーテルは、39.5質量%より多く、59.5質量%以下であり、前記水は、5.18質量%より多く、28.18質量%未満であり、前記ヒドラジンは、0.064質量%より多く、1.28%以下あるレジスト剥離液は、高温ベークされたレジスト膜を剥離することができ、金属膜表面や断面への腐食も起こさず、また、再利用時の再生効率がよい。
지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)