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1. (WO2018122517) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING A STEP OF ETCHING THE REAR FACE OF THE GROWTH SUBSTRATE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/122517 국제출원번호: PCT/FR2017/053817
공개일: 05.07.2018 국제출원일: 22.12.2017
IPC:
H01L 33/00 (2010.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
33
광, 예, 적외광, 의 방출에 특별히 적용되는 적어도 한개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 반도체 장치;그들 장치 또는 그 부품의 제조, 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치;그들 장치의 세부 '
출원인:
ALEDIA [FR/FR]; Chez Minatec, Bâtiment Haute Technologie N°52 7 Parvis Louis Neel BP 50 38040 Grenoble, FR
발명자:
POURQUIER, Eric; FR
대리인:
LE GOALLER, Christophe; FR
DUPONT, Jean-Baptiste; FR
COLOMBO, Michel; FR
우선권 정보:
166340927.12.2016FR
발명의 명칭: (EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC DEVICE COMPRISING A STEP OF ETCHING THE REAR FACE OF THE GROWTH SUBSTRATE
(FR) PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE COMPORTANT UNE ETAPE DE GRAVURE DE LA FACE ARRIERE DU SUBSTRAT DE CROISSANCE
요약서:
(EN) The invention relates to a method for manufacturing an optoelectronic device (1), comprising the following steps: a) providing a growth substrate (10) made from a semiconductor material; b) forming a plurality of diodes (20) each comprising a lower face (20i); c) removing at least a portion (12; 13) of the substrate so as to free the lower face (20i); wherein: - step a) involves producing a lower part and an upper part of the substrate, the upper part (12) having a uniform thickness (eref) and a level of doping less than that of the lower part; - step c) involving removal of the lower part (11) by selective chemical etching with respect to the upper part (12).
(FR) L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (1), comportant les étapes suivantes : a) fournir un substrat (10) de croissance en un matériau semiconducteur; b) former une pluralité de diodes (20) comportant chacune une face inférieure (20i); c) supprimer au moins une portion (12; 13) du substrat de manière à rendre libre la face inférieure (20i); dans lequel : - l'étape a) comporte la réalisation d'une partie inférieure et d'une partie supérieure du substrat, la partie supérieure (12) présentant une épaisseur (eref) homogène et un niveau de dopage inférieur à celui de la partie inférieure; - l'étape c) comportant une suppression de la partie inférieure (11) par gravure chimique sélective vis-à-vis de la partie supérieure (12).
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 프랑스어 (FR)
출원언어: 프랑스어 (FR)