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1. (WO2018116655) MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/116655 국제출원번호: PCT/JP2017/039665
공개일: 28.06.2018 국제출원일: 02.11.2017
IPC:
H01L 29/82 (2006.01) ,G11B 5/39 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H03B 15/00 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
82
장치에 인가되는 자계의 변화에 의해 제어가능한 것
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
B
기록매체와 변환기 사이의 상대적인 운동을 기본으로 하는 정보저장
5
기록매체상에 자화(magnetisation) 또는 비자화 (demagnetisation)에 의한 기록; 자기적인 수단에 의한 재생; 이것에 대한 기록매체
127
헤드의 구조 또는 제조, 예. 유도형(inductive)
33
자속감지 헤드의 구조 또는 제조
39
자기저항(magneto-resistive)장치를 사용하는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
43
전류 자기(galvano-magnetic) 효과 또는 이것과 유사한 자기 효과를 이용한 장치; 그들 장치 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치
08
자계 제어 저항
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
B
진동의 발생, 직접 또는 주파수 변조에 의한 진동의 발생, 스위칭 동작을 하지 않는 능동소자를 사용한 회로에 의한 진동의 발생; 이와 같은 회로에 의한 잡음의 발생
15
전류자기효과장치, 예. 홀(Hall) 효과장치를 이용한 진동의 발생 또는 초전도 효과를 이용한 진동의 발생
출원인:
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 2-5-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo 1036128, JP
발명자:
占部 順一郎 URABE Junichiro; JP
柴田 哲也 SHIBATA Tetsuya; JP
山根 健量 YAMANE Takekazu; JP
鈴木 健司 SUZUKI Tsuyoshi; JP
志村 淳 SHIMURA Atsushi; JP
우선권 정보:
2016-24656920.12.2016JP
발명의 명칭: (EN) MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE
(FR) DISPOSITIF À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE
(JA) 磁気抵抗効果デバイス
요약서:
(EN) A magnetoresistance effect device 100 is characterized by being provided with first magnetoresistance effect elements 101a, 101b, a second magnetoresistance effect element 101c, a first port 109a, a second port 109b, a signal line 107, and a DC application terminal 110, wherein: the first port 109a and the second port 109b are connected via the signal line 107; the first magnetoresistance effect elements 101a, 101b, and the second magnetoresistance effect element 101c are connected to the signal line 107 in parallel with respect to the second port 109b; the first magnetoresistance effect element 101a (101b) and the second magnetoresistance effect element 101c are formed such that the first magnetoresistance effect element 101a (101b) and the second magnetoresistance effect element 101c have inverse relations between directions of a DC current, which is inputted from the DC application terminal 110 and flows in the first magnetoresistance effect element 101a (101b) and also flows in the second magnetoresistance effect element 101c, and the respective arrangement orders of a magnetization fixed layer 102, a spacer layer 103, and a magnetization free layer 104; and the spin torque resonance frequency of the first magnetoresistance effect element 101a (101b) and the spin torque resonance frequency of the second magnetoresistance effect element 101c are different from each other.
(FR) Un dispositif à effet de magnétorésistance 100 selon l'invention est caractérisé en ce qu'il est pourvu de premiers éléments à effet de magnétorésistance 101a, 101b, d'un second élément à effet de magnétorésistance 101c, d'un premier port 109a, d'un second port 109b, d'une ligne de signal 107 et d'une borne d'application de CC 110. Selon l'invention : le premier port 109a et le second port 109b sont connectés par l'intermédiaire de la ligne de signal 107; les premiers éléments à effet de magnétorésistance 101a, 101b, et le second élément à effet de magnétorésistance 101c sont connectés à la ligne de signal 107 en parallèle par rapport au second port 109b; le premier élément à effet de magnétorésistance 101a (101b) et le second élément à effet de magnétorésistance 101c sont formés de telle sorte que le premier élément à effet de magnétorésistance 101a (101b) et le second élément à effet de magnétorésistance 101c présentent des relations inverses entre les directions d'un courant continu, qui est entré à partir de la borne d'application de CC 110 et s'écoule dans le premier élément à effet de magnétorésistance 101a (101b) et s'écoule également dans le second élément à effet de magnétorésistance 101c, et les ordres d'agencement respectifs d'une couche à magnétisation fixe 102, d'une couche d'espacement 103 et d'une couche exempte de magnétisation; et la fréquence de résonance de couple de spin du premier élément à effet de magnétorésistance 101a (101b) et la fréquence de résonance de couple de spin du second élément à effet de magnétorésistance 101c sont différentes l'une de l'autre.
(JA) 磁気抵抗効果デバイス100は、第1の磁気抵抗効果素子101a、101bと、第2の磁気抵抗効果素子101cと、第1のポート109aと、第2のポート109bと、信号線路107と、直流印加端子110とを有し、第1のポート109aおよび第2のポート109bが信号線路107を介して接続され、第1の磁気抵抗効果素子101a、101bおよび第2の磁気抵抗効果素子101cは、第2のポート109bに対して並列に信号線路107に接続され、第1の磁気抵抗効果素子101a(101b)および第2の磁気抵抗効果素子101cは、直流印加端子110から入力され第1の磁気抵抗効果素子101a(101b)および第2の磁気抵抗効果素子101cのそれぞれの中を流れる直流電流の向きと、それぞれの磁化固定層102、スペーサ層103および磁化自由層104の配置順との関係が、第1の磁気抵抗効果素子101a(101b)と第2の磁気抵抗効果素子101cとで逆になるように形成され、第1の磁気抵抗効果素子101a(101b)のスピントルク共鳴周波数と第2の磁気抵抗効果素子101cのスピントルク共鳴周波数は互いに異なることを特徴とする。
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)