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1. (WO2018111268) MICROELECTRONIC DEVICES DESIGNED WITH MOLD PATTERNING TO CREATE PACKAGE-LEVEL COMPONENTS FOR HIGH FREQUENCY COMMUNICATION SYSTEMS
국제사무국에 기록된 최신 서지정보

공개번호: WO/2018/111268 국제출원번호: PCT/US2016/066717
공개일: 21.06.2018 국제출원일: 14.12.2016
IPC:
H01L 23/66 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 25/04 (2006.01) ,H01L 23/538 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01Q 1/22 (2006.01) ,H01Q 9/04 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
23
반도체 또는 다른 고체장치의 세부
58
달리 분류되지 않은 반도체장치용 구조적 전기적 배열
64
임피던스 배열
66
고주파 적용
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
23
반도체 또는 다른 고체장치의 세부
52
동작중의 장치 하나의 구성부품으로부터 다른 구성부품으로 전류를 흐르게 하는 배열
522
반도체본체상에 분리할 수 없는 형태로 이루어진 전도층과 절연층이 다층으로 구성된 외부와의 상호배선을 포함하는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
25
복수의 개별 반도체 또는 다른 고체장치로 구성된 조립체
03
장치가 모두 그룹 H01L 27/00 ~ H01L 51/00의 동일 서브그룹에 분류되는 형식의 것, 예. 정류다이오드의 조립체
04
개별의 용기가 없는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
23
반도체 또는 다른 고체장치의 세부
52
동작중의 장치 하나의 구성부품으로부터 다른 구성부품으로 전류를 흐르게 하는 배열
538
절연기판상 또는 내에 형성되는 반도체칩들 간의 상호연결구조
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
23
반도체 또는 다른 고체장치의 세부
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
Q
공중선
1
공중선의 세부 또는 공중선에 관련하는 구성
12
지지물; 부착수단
22
다른 장비 물품과의 구조상의 결합에 의한 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
Q
공중선
9
동작파장의 2배이하의 치수에서 도체복사기로부터 되는 전기적으로 짧은 공중선
04
공진공중선
출원인:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
발명자:
EID, Feras; US
OSTER, Sasha N.; US
KAMGAING, Telesphor; US
DOGIAMIS, Georgios C.; US
ALEKSOV, Aleksandar; US
대리인:
BRASK, Justin, K.; US
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) MICROELECTRONIC DEVICES DESIGNED WITH MOLD PATTERNING TO CREATE PACKAGE-LEVEL COMPONENTS FOR HIGH FREQUENCY COMMUNICATION SYSTEMS
(FR) DISPOSITIFS MICROÉLECTRONIQUES CONÇUS AVEC UNE FORMATION DE MOTIFS DE MOULE POUR CRÉER DES COMPOSANTS AU NIVEAU DU BOÎTIER POUR DES SYSTÈMES DE COMMUNICATION HAUTE FRÉQUENCE
요약서:
(EN) Embodiments of the invention include a microelectronic device that includes a first substrate having radio frequency (RF) components and a second substrate that is coupled to the first substrate. The second substrate includes a first conductive layer of an antenna unit for transmitting and receiving communications at a frequency of approximately 4 GHz or higher. A mold material is disposed on the first and second substrates. The mold material includes a first region that is positioned between the first conductive layer and a second conductive layer of the antenna unit with the mold material being a dielectric material to capacitively couple the first and second conductive layers of the antenna unit.
(FR) Des modes de réalisation de l'invention concernent un dispositif microélectronique qui comprend un premier substrat ayant des composants radiofréquence (RF) et un second substrat qui est couplé au premier substrat. Le second substrat comprend une première couche conductrice d'une unité antenne pour émettre et recevoir des communications à une fréquence d'environ 4 GHz ou plus. Un matériau de moule est disposé sur les premier et second substrats. Le matériau de moule comprend une première région qui est positionnée entre la première couche conductrice et une seconde couche conductrice de l'unité d'antenne, le matériau de moule étant un matériau diélectrique pour coupler de manière capacitive les première et seconde couches conductrices de l'unité d'antenne.
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아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)