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1. (WO2018102001) EQUALIZING ERASE DEPTH IN DIFFERENT BLOCKS OF MEMORY CELLS
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2018/102001 국제출원번호: PCT/US2017/050861
공개일: 07.06.2018 국제출원일: 09.09.2017
IPC:
G11C 16/34 (2006.01) ,G11C 16/16 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
16
소거가능한 프로그램할 수 있는 읽기 전용메모리
02
전기적으로 프로그램할 수 있는 것
06
보조회로들, 예, 메모리에 쓰는 회로
34
프로그래밍 상태의 결정, 예. 문턱치 전압, 오버 프로그래밍 또는 언더프로그래밍, 보존
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
16
소거가능한 프로그램할 수 있는 읽기 전용메모리
02
전기적으로 프로그램할 수 있는 것
06
보조회로들, 예, 메모리에 쓰는 회로
10
프로그래밍 또는 데이터 입력회로
14
전기적 소거를 위한 회로, 예. 소거 전압 스위칭 회로
16
소거 블록을 위한 것, 예. 어레이, 워드, 그룹
출원인:
SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 6900 Dallas Parkway, Suite 325 Plano, Texas 75024, US
발명자:
ZHANG, Zhengyi; US
PANG, Liang; US
ZENG, Caifu; US
YU, Xuehong; US
DONG, Yingda; US
대리인:
MAGEN, Burt; US
우선권 정보:
15/367,54902.12.2016US
발명의 명칭: (EN) EQUALIZING ERASE DEPTH IN DIFFERENT BLOCKS OF MEMORY CELLS
(FR) ÉGALISATION DE PROFONDEUR D'EFFACEMENT DANS DIFFÉRENTS BLOCS DE CELLULES DE MÉMOIRE
요약서:
(EN) A memory device and associated techniques provide a uniform erase depth for different blocks of memory cells which are at different distances from pass gates of a voltage source. In one approach, a voltage of a source side select gate transistor of a memory string is a decreasing function of the distance. In another approach, a magnitude or duration of an erase voltage at a source end of a memory string is an increasing function of the distance. Adjacent blocks can be arranged in subsets and treated as being at a common distance. In another approach, an additional erase pulse can be applied when the distance of the block exceeds a threshold. Other variables such as initial erase voltage and step size can also be adjusted as a function of distance.
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire et des techniques associées fournissant une profondeur d'effacement uniforme pour différents blocs de cellules de mémoire qui sont à des distances différentes des grilles de passage d'une source de tension. Selon une approche, une tension d'un transistor à grille de sélection côté source d'une chaîne de mémoire est une fonction décroissante de la distance. Selon une autre approche, une amplitude ou une durée d'une tension d'effacement à une extrémité source d'une chaîne de mémoire est une fonction croissante de la distance. Des blocs adjacents peuvent être agencés en sous-ensembles et traités comme étant à une distance commune. Selon une autre approche, une impulsion d'effacement supplémentaire peut être appliquée lorsque la distance du bloc dépasse un seuil. D'autres variables telles que la tension d'effacement initiale et la taille de l'étape peuvent également être réglées en fonction de la distance.
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아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)