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1. (WO2018101089) LIQUID CRYSTAL DEVICE, METHOD FOR MEASURING RESIDUAL DC VOLTAGE IN LIQUID CRYSTAL DEVICE, METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/101089 국제출원번호: PCT/JP2017/041529
공개일: 07.06.2018 국제출원일: 17.11.2017
IPC:
G02F 1/13 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01Q 3/34 (2006.01) ,H01Q 3/44 (2006.01) ,H01Q 13/22 (2006.01) ,H01Q 21/06 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
02
광학
F
광의 강도, 색, 위상, 편광 또는 방향의 제어를 위한 장치 또는 배치, 예. 스위칭, 게이팅, 변조 또는 복조, 의 매체의 광학적성질이 변화에 의하여 광학적 작용이 변화하는 장치 또는 배치; 그와 같은 동작을 위한 기술 또는 처리; 주파수변환; 비선형 광학; 광학적 논리소자; 광학적 아날로그/디지털 변환기
1
독립된 광원으로부터 도달한 광의 강도, 색, 위상, 편광 또는 방향의 제어를 위한 장치 또는 배치, 예. 스위칭, 게이팅 또는 변조 비선형 광학
01
강도, 위상, 편광 또는 색의 제어를 위한 것
13
액정에 기초한 것, 예. 하나의 액정 표시 셀
G SECTION G — 물리학
02
광학
F
광의 강도, 색, 위상, 편광 또는 방향의 제어를 위한 장치 또는 배치, 예. 스위칭, 게이팅, 변조 또는 복조, 의 매체의 광학적성질이 변화에 의하여 광학적 작용이 변화하는 장치 또는 배치; 그와 같은 동작을 위한 기술 또는 처리; 주파수변환; 비선형 광학; 광학적 논리소자; 광학적 아날로그/디지털 변환기
1
독립된 광원으로부터 도달한 광의 강도, 색, 위상, 편광 또는 방향의 제어를 위한 장치 또는 배치, 예. 스위칭, 게이팅 또는 변조 비선형 광학
01
강도, 위상, 편광 또는 색의 제어를 위한 것
13
액정에 기초한 것, 예. 하나의 액정 표시 셀
133
구조배치 ; 액정셀의 작동 ; 회로배치
136
반도체층 또는 기판과 구조적으로 결합된 액정셀, 예. 집적회로의 일부를 구성하는 셀
1362
능동매트릭스 어드레스 셀(active matrix addressed cells)
1368
스위칭 소자가 3단자 장치인 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
334
유니폴라(unipolar)형 장치를 제조하기 위한 다단계공정
335
전계효과 트랜지스터(FET)
336
절연게이트를 갖는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
68
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르지 않는 하나의 전극에 단지 전위를 부여하거나, 단지 전류을 제공하는 것만으로 제어되는 것
76
유니폴라(unipolar) 장치
772
전계 효과 트랜지스터
78
절연된 게이트에 의해 발생되는 전계효과를 갖는 것
786
박막트랜지스터(thin-film transistors)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
Q
공중선
3
공중선 또는 공중선계로부터 방사되는 전파의 지향특성의 방향 또는 형을 바꾸기 위한 구성
26
2개이상의 복사소자의 여진 전력의 상대적인 위상 또는 진폭을 바꾸는 것; 방사개구에 가하는 에너지 분포를 바꾸는 것
30
위상을 바꾸는 것
34
전기적인 수단에 의한 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
Q
공중선
3
공중선 또는 공중선계로부터 방사되는 전파의 지향특성의 방향 또는 형을 바꾸기 위한 구성
44
복사기와 조합된 반사, 굴절 또는 회절하기 위한 장치의 전기적 또는 자기적인특성을 바꾸는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
Q
공중선
13
도파관혼(horn) 또는 개구; 슬롯 공중선; 누설도파 공중선; 전송로에 따라서 방사를 일으키는 등기구성
20
비공진누설파관 또는 전송선공중선; 전송로에 따라서 방사를 일으키는 등가구성
22
도파관이나 전송선로의 경계벽에 축방향에 설치된 슬롯
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
Q
공중선
21
공중속배열 또는 계
06
동일방향으로 편파된 간격을 두고 배치된 개개로 여진된 공중선단위의 배열
출원인:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
발명자:
水崎 真伸 MIZUSAKI Masanobu; --
대리인:
奥田 誠司 OKUDA Seiji; JP
우선권 정보:
2016-23099429.11.2016JP
발명의 명칭: (EN) LIQUID CRYSTAL DEVICE, METHOD FOR MEASURING RESIDUAL DC VOLTAGE IN LIQUID CRYSTAL DEVICE, METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DEVICE
(FR) DISPOSITIF À CRISTAUX LIQUIDES, PROCÉDÉ DE MESURE DE TENSION CC RÉSIDUELLE DANS UN DISPOSITIF À CRISTAUX LIQUIDES, PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DISPOSITIF À CRISTAUX LIQUIDES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À CRISTAUX LIQUIDES
(JA) 液晶装置、液晶装置の残留DC電圧値を求める方法、液晶装置の駆動方法、および液晶装置の製造方法
요약서:
(EN) The present invention provides a method for measuring a residual DC voltage in a liquid crystal device, the liquid crystal device comprising an active region (R1) including a plurality of liquid crystal capacitors and a plurality of thin film transistors (TFT) and an inactive region (R2) located in a region excluding the active region and having at least one monitor capacitor (MVr1), with the plurality of liquid crystal capacitors and the at least one monitor capacitor including a liquid crystal layer. The method for measuring a residual DC voltage in a liquid crystal device comprises: a step of creating a V-I curve by measuring a current flowing in one electrode in a pair of electrodes included in the at least one monitor capacitor while applying a positive-negative symmetrical triangular wave voltage to the other electrode; a step of measuring a voltage Vmax having a maximum absolute value where a current reaches a positive local maximum value or local minimum value in the V-I curve, and a voltage Vmin having a maximum absolute value where a current reaches a negative local minimum value or local maximum value; and a step of measuring one-half of the sum of the Vmax and Vmin as the residual DC voltage.
(FR) La présente invention concerne un procédé de mesure d’une tension CC résiduelle dans un dispositif à cristaux liquides, le dispositif à cristaux liquides comprenant une région active (R1) comprenant une pluralité de condensateurs à cristaux liquides et une pluralité de transistors à couche mince (TFT) et une région inactive (R2) située dans une région excluant la région active et comportant au moins un condensateur de surveillance (MVr1), la pluralité de condensateurs à cristaux liquides et l’au moins un condensateur de surveillance comprenant une couche de cristaux liquides. Le procédé de mesure d’une tension CC résiduelle dans un dispositif à cristaux liquides comprend : une étape de génération d’une courbe V-I par mesure d’un courant circulant dans une électrode dans une paire d’électrodes comprises dans ledit au moins un condensateur de surveillance tout en appliquant une tension d’onde triangulaire symétrique positive-négative à l’autre électrode ; une étape de mesure d’une tension Vmax ayant une valeur absolue maximale à laquelle un courant atteint une valeur maximale locale positive ou une valeur minimale locale dans la courbe V-I, et une tension Vmin ayant une valeur absolue maximale à laquelle un courant atteint une valeur minimale locale négative ou une valeur maximale locale ; et une étape de mesure de la moitié de la somme de Vmax et Vmin en tant que tension CC résiduelle.
(JA) 液晶装置の残留DC電圧値を求める方法は、複数の液晶容量および複数のTFTとを有するアクティブ領域(R1)と、アクティブ領域以外の領域に位置し、少なくとも1つのモニター用容量(MVr1)を有する非アクティブ領域(R2)とを備え、複数の液晶容量および少なくとも1つのモニター用容量は、液晶層を含む、液晶装置の残留DC電圧値を求める方法であって、少なくとも1つのモニター用容量が有する一対の電極の内の一方の電極に正負対称な三角波電圧を印加しながら、他方の電極に流れる電流を測定することによって、V-I曲線を生成する工程と、V-I曲線において、電流値が正の極大値または極小値を取る最も絶対値の大きい電圧値Vmaxと、電流値が負の極小値または極大値を取る最も絶対値の大きい電圧値Vminとを求める工程と、VmaxとVminとの和の2分の1を残留DC電圧値として求める工程とを包含する。
front page image
지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)