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1. (WO2018100642) DISPLAY PANEL, THIN-FILM TRANSISTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/100642 국제출원번호: PCT/JP2016/085415
공개일: 07.06.2018 국제출원일: 29.11.2016
IPC:
G09F 9/00 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
09
교육; 암호방법; 전시; 광고; 봉인
F
표시; 광고; 사인; 라벨 또는 명찰; 시일
9
정보가 개별소자의 선택 또는 조합에 의하여 지지체상에 형성되는 가변정보용의 표시장치
출원인:
堺ディスプレイプロダクト株式会社 SAKAI DISPLAY PRODUCTS CORPORATION [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumicho, Sakai-ku, Sakai-shi, Osaka 5908522, JP
발명자:
中川 英俊 NAKAGAWA, Hidetoshi; JP
대리인:
河野 英仁 KOHNO, Hideto; JP
河野 登夫 KOHNO, Takao; JP
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) DISPLAY PANEL, THIN-FILM TRANSISTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR
(FR) PANNEAU D'AFFICHAGE, TRANSISTOR DE FILM MINCE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR DE FILM MINCE
(JA) 表示パネル、薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
요약서:
(EN) Provided are a display panel, a thin-film transistor, and a method of manufacturing the thin-film transistor, with which it is possible to prevent performance degradation due to inclusion of minute foreign matter. A display panel comprising a thin-film transistor that supplies a drive voltage for turning on or off a thin-film transistor for pixels that corresponds to each of a plurality of pixels arranged in a matrix on a substrate, wherein the thin-film transistor comprises a gate electrode film (10) formed on the surface of the substrate, a semiconductor layer (11) formed on the top side of the gate electrode film, a long source electrode film (13) formed on the semiconductor layer, and a plurality of long drain electrode films (14) formed on the semiconductor layer. The width of at least one of the drain electrode films is larger than the width of the source electrode film.
(FR) La présente invention concerne un panneau d'affichage, un transistor de film mince et un procédé de fabrication du transistor de film mince, au moyen desquels il est possible d'empêcher une dégradation des performances due à l'inclusion de minuscules corps étrangers. Un panneau d'affichage comprend : un transistor de film mince qui fournit une tension d'attaque pour allumer ou éteindre un transistor de film mince pour des pixels qui correspondent à chacun d'une pluralité de pixels agencés dans une matrice sur un substrat, le transistor de film mince comprenant un film d'électrode de grille (10) formé sur la surface du substrat, une couche semi-conductrice (11) formée sur le côté supérieur du film d'électrode de grille, un film d'électrode de source longue (13) formé sur la couche de semi-conducteur, et une pluralité de films d'électrode de drain longs (14) formés sur la couche de semi-conducteur. La largeur d'au moins un des films d'électrode de drain est supérieure à la largeur du film d'électrode de source.
(JA) 微小な異物混入による性能劣化を防止することができる表示パネル、薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法を提供する。表示パネルは、基板上にマトリクス状に配置された複数の画素それぞれに対応する画素用薄膜トランジスタをオン/オフさせるための駆動電圧を供給する薄膜トランジスタを備える表示パネルであって、薄膜トランジスタは、基板の表面に形成されたゲート電極膜(10)と、ゲート電極膜の上側に形成された半導体層(11)と、半導体層上に形成された長尺のソース電極膜(13)と、半導体層上に複数形成された長尺のドレイン電極膜(14)とを備え、少なくとも一つのドレイン電極膜の幅は、ソース電極膜の幅より大きい。
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공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)