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1. (WO2018066547) OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/066547 국제출원번호: PCT/JP2017/035939
공개일: 12.04.2018 국제출원일: 03.10.2017
IPC:
C04B 35/01 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
C SECTION C — 화학; 야금
04
시멘트; 콘크리트; 인조석; 세라믹스; 내화물
B
석회; 마그네시아; 슬래그; 시멘트; 그 조성물, 예. 모르타르, 콘크리트 또는 유사한 건축재료; 인조석; 세라믹; 내화물; 천연석의 처리
35
조성에 특징을 갖는 성형세라믹제품; 세라믹조성; 세라믹제품의 제조전의 무기화합물의 처리분말
01
.산화물을 기재로 하는 것
C SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
14
피복형성재료의 진공증착, 스퍼터링, 또는 이온주입에 의한 피복
06
.피복재료에 특징이 있는 것
08
산화물
C SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
14
피복형성재료의 진공증착, 스퍼터링, 또는 이온주입에 의한 피복
22
.피복공정에 특징이 있는 것
34
스퍼터링
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
68
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르지 않는 하나의 전극에 단지 전위를 부여하거나, 단지 전류을 제공하는 것만으로 제어되는 것
76
유니폴라(unipolar) 장치
772
전계 효과 트랜지스터
78
절연된 게이트에 의해 발생되는 전계효과를 갖는 것
786
박막트랜지스터(thin-film transistors)
출원인:
出光興産株式会社 IDEMITSU KOSAN CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内三丁目1番1号 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321, JP
발명자:
井上 一吉 INOUE, Kazuyoshi; JP
柴田 雅敏 SHIBATA, Masatoshi; JP
笘井 重和 TOMAI, Shigekazu; JP
대리인:
特許業務法人平和国際特許事務所 HEIWA INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都千代田区神田須田町一丁目26番地 芝信神田ビル3階 Shibashin Kanda Bldg. 3rd Floor, 26, Kanda Suda-cho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010041, JP
우선권 정보:
2016-19614304.10.2016JP
발명의 명칭: (EN) OXIDE SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET
(FR) CORPS FRITTÉ À BASE D'OXYDE ET CIBLE DE PULVÉRISATION
(JA) 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット
요약서:
(EN) An oxide sintered body which contains a perovskite phase and a bixbyite phase represented by In2O3.
(FR) L'invention concerne un corps fritté à base d'oxyde qui contient une phase pérovskite et une phase bixbyite représentée par In2O3
(JA) ペロブスカイト相及びInで表されるビックスバイト相を含む酸化物焼結体。
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)