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1. (WO2018060570) STRUCTURE COMPRISING SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR ISLANDS AND PROCESS FOR MAKING SUCH A STRUCTURE
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REVENDICATIONS

Structure (10) pour l'élaboration d'au moins une couche active en matériau III-V (6) comprenant un substrat formé d'un support (2) présentant une face principale, d'une couche diélectrique (3) disposée sur la face principale du support, et d'une pluralité d'îlots semi-conducteurs monocristallins (4) disposée directement sur la couche diélectrique (3) , les îlots présentant une surface supérieure pour servir de germe à la croissance de la couche active, la structure étant caractérisée en ce qu'elle comprend une couche d'accroché (5) disposée entre les îlots semi-conducteurs monocristallins (4), directement sur la portion de la couche diélectrique (3) qui n'est pas recouverte par les îlots (4), sans masquer la surface supérieure des îlots (4), de sorte que la couche diélectrique (3) ne soit plus exposée à son environnement.

Structures (10) selon l'une des revendications précédentes dans lequel le support (2) est en silicium ou en saphir.

Structure (10) selon l'une des revendications précédentes dans lequel la couche diélectrique (3) comprend de l'oxyde de silicium et/ou du nitrure de silicium.

4. Structure (10) selon l'une des revendications précédentes dans laquelle les îlots semi-conducteurs monocristallins (4) comprennent un matériau III-V.

5. Structure (10) selon la revendication précédente dans laquelle les îlots semi-conducteurs monocristallins (4) sont constitués ou comprennent de l'InGaN.

6. Structure (10) selon l'une des revendications précédentes dans laquelle la couche d'accroché (5) est en AIN polycristallin.

Procédé de réalisation d'une structure (10) comprenant la fourniture d'un substrat (1) formé d'un support (2) présentant une face principale, d'une couche diélectrique

(3) disposée sur la face principale du support (2), et d'une pluralité d'îlots semi-conducteurs monocristallins (4) disposée directement sur la couche diélectrique (3) , les îlots présentant une surface supérieure pour servir de germe à la croissance d'une couche active en matériau III-V, le procédé étant caractérisé en ce qu' il comprend la formation d'une couche d'accroché (3), entre les îlots semiconducteurs monocristallins (4), directement sur la portion de couche de diélectrique (2) qui n'est pas recouverte par les îlots (4), sans masquer la surface supérieure des îlots

(4) , de sorte que la couche diélectrique (3) ne soit plus exposée à son environnement.

Procédé selon la revendication précédente dans lequel la formation de la couche d'accroché (5) comprend le dépôt de la couche d'accroché (5, 5') sur et entre les îlots semiconducteurs monocristallins (4), puis le retrait sélectif de la portion de la couche d'accroché (5' ) disposée sur les îlots semi-conducteurs cristallins (4).

Procédé selon la revendication précédente dans lequel le retrait sélectif de la portion la couche d'accroché (5' ) disposée sur les îlots semi-conducteurs monocristallins (4) est réalisé par polissage mécanochimique .

Procédé selon la revendication 7 dans lequel la formation de la couche d'accroché (5) comprend la formation sélective d'une couche de protection (7) sur les îlots semiconducteurs monocristallins (4), le dépôt de la couche d'accroché (5, 5') sur la couche de protection et sur la surface exposée de la couche diélectrique (3) entre les îlots semi-conducteurs monocristallins (4), et le retrait sélectif de la couche de protection (7) et de la portion de la couche d'accroché (5' ) disposée sur les îlots semiconducteurs monocristallins (4).

11. Procédé sur la revendication précédente dans lequel la couche de protection (7) comprend une résine photosensible et la formation sélective de la couche de protection (7) comprend une étape de photolithographie.

12. Procédé selon l'une des deux revendications précédentes dans lequel le retrait sélectif de la couche de protection (7) et de la couche d'accroché (5' ) disposée sur la couche de protection (7) est réalisé par gravure chimique.

13. Procédé de réalisation d'un dispositif semi-conducteur comprenant la fourniture d'une structure (10) selon l'une de revendications 1 à 5 et la formation d'au moins une couche active en matériau III-V sur les îlots de semi-conducteurs monocristallins (4).