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1. (WO2018047257) SEMICONDUCTOR DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보   

공개번호: WO/2018/047257 국제출원번호: PCT/JP2016/076331
공개일: 15.03.2018 국제출원일: 07.09.2016
IPC:
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H01R 11/01 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
25
복수의 개별 반도체 또는 다른 고체장치로 구성된 조립체
03
장치가 모두 그룹 H01L 27/00 ~ H01L 51/00의 동일 서브그룹에 분류되는 형식의 것, 예. 정류다이오드의 조립체
04
개별의 용기가 없는 것
07
장치가 그룹 29/00으로 분류되는 형식의 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
23
반도체 또는 다른 고체장치의 세부
48
동작중의 고체본체에서 또는 고체본체로 전류를 흐르게 하기 위한 배열, 예. 리이드 또는 단자배열
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
25
복수의 개별 반도체 또는 다른 고체장치로 구성된 조립체
18
장치가 그룹 H01L 27/00~ H01L 51/00 중 동일메인그룹에서 2개 또는 그 이상의 상이한 서브그룹에 분류되는 형식의 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
R
도전접속; 복수의 다중-절연된 전기접속부의 구조적 결합; 결합장치; 집전장치
11
서로 접속된, 접속되어질 도전부재를 위한 2개 또는 그 이상의 접속위치를 제공하는 개별적인 접속부, 예 전선 또는 케이블에 의해 지지되는 전선, 케이블을 위한 단자편 그리고 타 전선, 단자, 도전부재, 체부단자주에 전기접속을 용이하게 하는 수단을 가지는 단자편
01
접속위치간의 도전상호접속의 형상 또는 배열에 의해서 특징지워지는 것
출원인:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
발명자:
藤田 重人 FUJITA, Shigeto; JP
稲口 隆 INAGUCHI, Takashi; JP
대리인:
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
요약서:
(EN) This semiconductor device is provided with an upper electrode which is provided above a lower electrode, a semiconductor chip which is provided between the lower electrode and the upper electrode, a pressure pad which is provided between the lower electrode and the upper electrode overlapping the semiconductor chip, and a spiral conductor which is provided between the lower electrode and the upper electrode overlapping the semiconductor chip and the pressure pad. The spiral conductor comprises an upper spiral conductor and a lower spiral conductor which contacts the bottom end of the upper spiral conductor and faces the upper spiral conductor. By forming a groove in the upper spiral conductor and the lower spiral conductor, the direction of current flowing through the upper spiral conductor and the direction of current flowing through the lower spiral conductor can be made to coincide in planar view.
(FR) Le dispositif à semi-conducteurs selon l’invention comporte: une électrode supérieure située au-dessus d'une électrode inférieure; une puce semiconductrice située entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure; des tampons de pression situés sur la puce semiconductrice, entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure; et un corps conducteur en spirale situé, avec la puce semiconductrice et les tampons de pression, entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure. Le corps conducteur en spirale possède une partie corps conducteur en spirale côté supérieur, et une partie corps conducteur en spirale côté inférieur faisant face à la partie corps conducteur en spirale côté supérieur et connectée à cette partie corps conducteur en spirale côté supérieur au niveau de la partie inférieure de celle-ci. Grâce à la formation d'une rainure dans la partie corps conducteur en spirale côté supérieur et dans la partie corps conducteur en spirale côté inférieure, dans une vue en plan, la direction du courant à l’intérieur de la partie corps conducteur en spirale côté supérieur coïncide avec la direction du courant à l’intérieur de la partie corps conducteur en spirale côté inférieur.
(JA) 下電極の上方に設けられた上電極と、該下電極と該上電極の間に設けられた半導体チップと、該下電極と該上電極の間に該半導体チップと重ねて設けられたプレッシャパッドと、該下電極と該上電極の間に該半導体チップおよび該プレッシャパッドと重ねて設けられたスパイラル導体と、を備え、該スパイラル導体は、上側スパイラル導体と、該上側スパイラル導体の下端に接し該上側スパイラル導体に対向する下側スパイラル導体とを有し、該上側スパイラル導体と該下側スパイラル導体に溝を形成することで、平面視で、該上側スパイラル導体を流れる電流の向きと、該下側スパイラル導体を流れる電流の向きを一致させた。
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)