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1. (WO2018044904) SPECTRAL REFLECTOMETRY FOR IN-SITU PROCESS MONITORING AND CONTROL
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/044904 국제출원번호: PCT/US2017/049138
공개일: 08.03.2018 국제출원일: 29.08.2017
IPC:
G01N 21/95 (2006.01) ,G01N 21/55 (2006.01) ,G01N 21/25 (2006.01) ,G01N 21/88 (2006.01) ,G01N 21/956 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
01
측정; 시험
N
재료의 화학적 또는 물리적 성질의 검출에 의한 재료의 조사 또는 분석
21
광학적 수단, 즉 적외선, 가시광선, 또는 자외선을 사용하는 것에 의한 재료의 조사 또는 분석
84
특수한 적용에 특히 적합한 시스템
88
결함, 상처 또는 오염의 존재조사
95
조사되는 물체의 재질 또는 형상에 특징이 있는 것
G SECTION G — 물리학
01
측정; 시험
N
재료의 화학적 또는 물리적 성질의 검출에 의한 재료의 조사 또는 분석
21
광학적 수단, 즉 적외선, 가시광선, 또는 자외선을 사용하는 것에 의한 재료의 조사 또는 분석
17
조사될 재료의 특성에 따라 입사광이 변조되는 시스템
55
경면반사
G SECTION G — 물리학
01
측정; 시험
N
재료의 화학적 또는 물리적 성질의 검출에 의한 재료의 조사 또는 분석
21
광학적 수단, 즉 적외선, 가시광선, 또는 자외선을 사용하는 것에 의한 재료의 조사 또는 분석
17
조사될 재료의 특성에 따라 입사광이 변조되는 시스템
25
색; 스펙트럼특성, 즉 둘 또는 그이상의 파장 혹은 파장대에 있어서 재료가 빛에 주는 효과의 비교
G SECTION G — 물리학
01
측정; 시험
N
재료의 화학적 또는 물리적 성질의 검출에 의한 재료의 조사 또는 분석
21
광학적 수단, 즉 적외선, 가시광선, 또는 자외선을 사용하는 것에 의한 재료의 조사 또는 분석
84
특수한 적용에 특히 적합한 시스템
88
결함, 상처 또는 오염의 존재조사
G SECTION G — 물리학
01
측정; 시험
N
재료의 화학적 또는 물리적 성질의 검출에 의한 재료의 조사 또는 분석
21
광학적 수단, 즉 적외선, 가시광선, 또는 자외선을 사용하는 것에 의한 재료의 조사 또는 분석
84
특수한 적용에 특히 적합한 시스템
88
결함, 상처 또는 오염의 존재조사
95
조사되는 물체의 재질 또는 형상에 특징이 있는 것
956
물체표면의 패턴 검사
출원인:
KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Dept. One Technology Drive Milpitas, California 95035, US
발명자:
JAIN, Prateek; US
WACK, Daniel; US
PETERLINZ, Kevin; US
SHCHEGROV, Andrei; US
KRISHNAN, Shankar; US
대리인:
MCANDREWS, Kevin; US
MORRIS, Elizabeth M.N.; US
우선권 정보:
15/688,75128.08.2017US
62/380,74829.08.2016US
발명의 명칭: (EN) SPECTRAL REFLECTOMETRY FOR IN-SITU PROCESS MONITORING AND CONTROL
(FR) RÉFLECTOMÉTRIE SPECTRALE POUR SURVEILLANCE ET RÉGULATION IN SITU DE PROCESSUS
요약서:
(EN) Methods and systems for performing in-situ, selective spectral reflectometry (SSR) measurements of semiconductor structures disposed on a wafer are presented herein. Illumination light reflected from a wafer surface is spatially imaged. Signals from selected regions of the image are collected and spectrally analyzed, while other portions of the image are discarded. In some embodiments, a SSR includes a dynamic mirror array (DMA) disposed in the optical path at or near a field plane conjugate to the surface of the semiconductor wafer under measurement. The DMA selectively blocks the undesired portion of wafer image. In other embodiments, a SSR includes a hyperspectral imaging system including a plurality of spectrometers each configured to collect light from a spatially distinct area of a field image conjugate to the wafer surface. Selected spectral signals associated with desired regions of the wafer image are selected for analysis.
(FR) L'invention concerne des procédés et des systèmes pour la réalisation in situ de mesures de réflectométrie spectrale sélective (SSR) concernant des structures semi-conductrices disposées sur une tranche. Une lumière d'éclairage réfléchie par la surface d'une tranche est imagée spatialement. Des signaux provenant de régions sélectionnées de l'image sont recueillis et analysés spectralement, tandis que d'autres parties de l'image sont rejetées. Dans certains modes de réalisation, une SSR fait intervenir un réseau de miroirs dynamiques (DMA) disposé sur le trajet optique au niveau ou à proximité d'un plan de champ conjugué à la surface de la tranche à semi-conducteurs faisant l'objet des mesures. Le DMA bloque sélectivement la partie non souhaitée de l'image de la tranche. Dans d'autres modes de réalisation, une SSR fait intervenir un système d'imagerie hyperspectrale comprenant une pluralité de spectromètres configurés chacun pour recueillir de la lumière en provenance d'une zone spatialement distincte d'une image de champ conjuguée à la surface de la tranche. Des signaux spectraux sélectionnés associés à des régions souhaitées de l'image de la tranche sont sélectionnés en vue de leur analyse.
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공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)