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1. (WO2018044167) METHOD OF AND SYSTEM FOR PERFORMING DEFECT DETECTION ON OR CHARACTERIZATION OF A LAYER OF A SEMICONDUCTOR ELEMENT OR SEMI-MANUFACTURED SEMICONDUCTOR ELEMENT
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/044167 국제출원번호: PCT/NL2017/050575
공개일: 08.03.2018 국제출원일: 31.08.2017
IPC:
H01L 21/66 (2006.01) ,G01N 29/00 (2006.01) ,G01Q 60/32 (2010.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
66
제조 또는 처리중의 시험이나 측정
G SECTION G — 물리학
01
측정; 시험
N
재료의 화학적 또는 물리적 성질의 검출에 의한 재료의 조사 또는 분석
29
초음파, 음파 또는 초저주파를 사용한 물체의 조사 또는 분석; 초음파, 음파 또는 초저주파의 사용에 의한 재료의 조사 음파를 물체에 투과에 의해 물체 내부의 가시화
G SECTION G — 물리학
01
측정; 시험
Q
스캐닝 프로브 기술 혹은 장치; 스캐닝 프로브 기술의 적용 예. 스캔 프로브 현미경
60
특별한 형태의 SPM 혹은 그 장치; 필수 구성
24
AFM 혹은 그 장비, 예. AFM 프로브
32
AC 모드
출원인:
NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO [NL/NL]; Anna van Buerenplein 1 2595 DA 's-Gravenhage, NL
발명자:
SADEGHIAN MARNANI, Hamed; NL
VAN ES, Maarten Hubertus; NL
MEIJER TIMMERMAN THIJSSEN, Rutger; NL
대리인:
JANSEN, C.M.; V.O. P.O. Box 87930 2508 DH Den Haag, NL
우선권 정보:
16186518.331.08.2016EP
발명의 명칭: (EN) METHOD OF AND SYSTEM FOR PERFORMING DEFECT DETECTION ON OR CHARACTERIZATION OF A LAYER OF A SEMICONDUCTOR ELEMENT OR SEMI-MANUFACTURED SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE RÉALISATION D'UNE DÉTECTION DE DÉFAUT SUR UNE COUCHE OU D'UNE CARACTÉRISATION D'UNE COUCHE D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OU D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR SEMI-MANUFACTURÉ
요약서:
(EN) The present document relates to a method of performing defect detection on a self-assembled monolayer of a semiconductor element or semi- manufactured semiconductor element, using an atomic force microscopy system. The system comprises a probe with a probe tip, and is configured for positioning the probe tip relative to the element for enabling contact between the probe tip and a surface of the element. The system comprises a sensor providing an output signal indicative of a position of the probe tip. The method comprises: scanning the surface with the probe tip; applying an acoustic vibration signal to the element; obtaining the output signal indicative of the position of the probe tip; monitoring probe tip motion during said scanning for mapping the surface of the semiconductor element, and using a fraction of the output signal for mapping contact stiffness indicative of a binding strength.
(FR) La présente invention concerne un procédé de réalisation d'une détection de défaut sur une monocouche auto-assemblée d'un élément semi-conducteur ou d'un élément semi-conducteur semi-manufacturé, à l'aide d'un système de microscopie à force atomique. Le système comprend une sonde dotée d'une pointe de sonde, et est conçu pour positionner la pointe de sonde par rapport à l'élément pour permettre un contact entre la pointe de sonde et une surface de l'élément. Le système comprend un capteur fournissant un signal de sortie indiquant la position de la pointe de sonde. Le procédé consiste à : balayer la surface avec la pointe de sonde ; appliquer un signal de vibration acoustique à l'élément ; obtenir le signal de sortie indiquant la position de la pointe de sonde ; surveiller le mouvement de la pointe de sonde pendant ledit balayage pour cartographier la surface de l'élément semi-conducteur, et utiliser une fraction du signal de sortie pour cartographier une rigidité de contact indiquant une force de liaison.
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유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
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공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)