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1. (WO2018042835) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/042835 국제출원번호: PCT/JP2017/022651
공개일: 08.03.2018 국제출원일: 20.06.2017
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
68
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르지 않는 하나의 전극에 단지 전위를 부여하거나, 단지 전류을 제공하는 것만으로 제어되는 것
76
유니폴라(unipolar) 장치
772
전계 효과 트랜지스터
78
절연된 게이트에 의해 발생되는 전계효과를 갖는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
334
유니폴라(unipolar)형 장치를 제조하기 위한 다단계공정
335
전계효과 트랜지스터(FET)
336
절연게이트를 갖는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
02
반도체 본체
12
구성재료에 특징이 있는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
40
전극(Electrodes)
41
그들의 형상, 상대적 크기 또는 배치에 특징이 있는 것
417
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르는 것
출원인:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
발명자:
内田 光亮 UCHIDA, Kosuke; JP
日吉 透 HIYOSHI, Toru; JP
酒井 光彦 SAKAI, Mitsuhiko; JP
대리인:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
우선권 정보:
2016-16962431.08.2016JP
발명의 명칭: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
요약서:
(EN) A gate trench, which is defined by a first side surface and a first bottom surface, and a source trench, which is defined by a second side surface and a second bottom surface, are provided on a first main surface. A silicon carbide substrate includes a drift region, body region, source region, first region, and second region. The first region is in contact with the second region. On the first side surface, a gate insulating film is in contact with the drift region, the body region, and the source region, and on the first bottom surface, the gate insulating film is in contact with the drift region. On the second side surface and the second bottom surface, the source electrode is in contact with the second region.
(FR) La présente invention concerne une tranchée de grille, qui est définie par une première surface latérale et une première surface inférieure, et une tranchée source, qui est définie par une seconde surface latérale et une seconde surface inférieure, étant disposées sur une première surface principale. Un substrat de carbure de silicium comprend une région de dérive, une région de corps, une région de source, une première région et une seconde région. La première région est en contact avec la seconde région. Sur la première surface latérale, un film d'isolation de grille est en contact avec la région de dérive, la région de corps, et la région source, et sur la première surface inférieure, le film isolant de grille est en contact avec la région de dérive. Sur la seconde surface latérale et la seconde surface inférieure, l'électrode source est en contact avec la seconde région.
(JA) 第1主面には、第1側面と、第1底面とにより規定されているゲートトレンチと、第2側面と、第2底面とにより規定されているソーストレンチとが設けられている。炭化珪素基板は、ドリフト領域と、ボディ領域と、ソース領域と、第1領域と、第2領域とを含む。第1領域は、第2領域と接する。ゲート絶縁膜は、第1側面において、ドリフト領域と、ボディ領域と、ソース領域と接し、かつ第1底面において、ドリフト領域に接している。ソース電極は、第2側面と第2底面とにおいて、第2領域と接している。
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)