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1. (WO2018020695) HEAT DISSIPATION SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR PACKAGE, SEMICONDUCTOR MODULE AND HEAT DISSIPATION SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/020695 국제출원번호: PCT/JP2016/081489
공개일: 01.02.2018 국제출원일: 24.10.2016
IPC:
H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H05K 1/02 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
23
반도체 또는 다른 고체장치의 세부
34
냉각, 가열, 환기 또는 온도 보상용 배열
36
냉각 또는 가열을 용이하게 하기 위한 재료의 선택 또는 성형, 예. 히트.싱크
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
23
반도체 또는 다른 고체장치의 세부
12
마운트, 예. 분리할 수 없는 절연기판
H SECTION H — 전기
05
달리 분류되지 않는 전기기술
K
인쇄회로; 전기장치의 상체 또는 구조적 세부, 전기부품의 조립체의 제조
1
인쇄회로
02
세부
출원인:
株式会社半導体熱研究所 SUPERUFO291 TEC [JP/JP]; 京都府京都市中京区河原町通二条下ル一之船入町376 クロトビル4F 4F, CLOTO Building, 376, Ichinofunairi-cho, Kawaramachi-dori Nijyo-sagaru, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6040924, JP
발명자:
福井 彰 FUKUI, Akira; JP
대리인:
特許業務法人京都国際特許事務所 KYOTO INTERNATIONAL PATENT LAW OFFICE; 京都府京都市下京区東洞院通四条下ル元悪王子町37番地 豊元四条烏丸ビル Hougen-Sizyokarasuma Building, 37, Motoakuozi-tyo, Higasinotouin Sizyo-sagaru, Simogyo-ku, Kyoto-si, Kyoto 6008091, JP
우선권 정보:
2016-14857928.07.2016JP
발명의 명칭: (EN) HEAT DISSIPATION SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR PACKAGE, SEMICONDUCTOR MODULE AND HEAT DISSIPATION SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD
(FR) SUBSTRAT DE DISSIPATION DE CHALEUR, BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR, MODULE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE DISSIPATION DE CHALEUR
(JA) 放熱基板、半導体パッケージ、及び半導体モジュール、並びに放熱基板の製造方法
요약서:
(EN) In the present invention, a main body is made by introducing an insert, which uses as a core material a second metal having a greater thermal conductivity than a first metal, such that the insert passes through, in the thickness direction, a slab-shaped core base material using the first metal as a core material; a laminate is made by arranging, on the front and back surfaces of the main body, slab-shaped thermal conductive materials using as a core material a third metal having a greater thermal conductivity than the first metal; and a heat dissipation substrate is manufactured by subjecting the laminate to discharge plasma sintering at a temperature less than the melting points of the first metal, the second metal and the third metal.
(FR) Dans la présente invention, on réalise un corps principal en introduisant un insert, qui utilise comme matériau de noyau un second métal ayant une conductivité thermique supérieure à celle d'un premier métal, de telle sorte que l'insert passe à travers, dans la direction de l'épaisseur, un matériau de base de noyau en forme de plaque utilisant le premier métal comme matériau de noyau; un stratifié est obtenu par agencement, sur les surfaces avant et arrière du corps principal, des matériaux thermoconducteurs en forme de plaque utilisant comme matériau de noyau un troisième métal ayant une conductivité thermique supérieure à celle du premier métal; et un substrat de dissipation de chaleur est fabriqué en soumettant le stratifié à un frittage par décharge de plasma à une température inférieure aux points de fusion du premier métal, du deuxième métal et du troisième métal.
(JA) 第1の金属を芯材とする板状の芯基材を厚さ方向に貫通するように、前記第1の金属よりも熱伝導率が大きい第2の金属を芯材とする挿入体を導入して本体を作製し、前記本体の表面及び裏面にそれぞれ、前記第1の金属よりも熱伝導率が大きい第3の金属を芯材とする板状の熱伝導部材を配置して積層体を作製し、前記積層体を前記第1の金属、前記第2の金属、及び前記第3の金属の融点未満の温度で放電プラズマ焼結することにより放熱基板を製造する。
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)