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1. (WO2018015809) MULTIPLE SILICON ATOM QUANTUM DOT AND DEVICES INCLUSIVE THEREOF
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/015809 국제출원번호: PCT/IB2017/001051
공개일: 25.01.2018 국제출원일: 19.07.2017
IPC:
B82B 1/00 (2006.01) ,B82B 3/00 (2006.01) ,B82Y 20/00 (2011.01) ,H01L 33/06 (2010.01)
B SECTION B — 처리조작; 운수
82
나노기술
B
개별단위로서의 분자, 원자들의 제한된 집합 또는 개별 원자, 분자의 조작에 의해 형성된 나노구조; 그의 취급 또는 제조
1
개별 원자 또는 분자의 조작 또는 개별 단위로서 원자 또는 분자의 제한된 집합에 의해 형성된 나노구조
B SECTION B — 처리조작; 운수
82
나노기술
B
개별단위로서의 분자, 원자들의 제한된 집합 또는 개별 원자, 분자의 조작에 의해 형성된 나노구조; 그의 취급 또는 제조
3
개별 원자 또는 분자의 조작 또는 개별 단위로서 원자 또는 분자의 제한된 집합에 의한 나노 구조의 제조 또는 처리
B SECTION B — 처리조작; 운수
82
나노기술
Y
나노 구조의 특별한 사용이나 적용; 나노 구조의 측정이나 분석; 나노 구조의 제조나 처리
20
나노 광학, 예. 양자 광학이나 광양자 결정체
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
33
광, 예, 적외광, 의 방출에 특별히 적용되는 적어도 한개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 반도체 장치;그들 장치 또는 그 부품의 제조, 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치;그들 장치의 세부 '
02
반도체 몸체에 특징이 있는 것
04
양자효과를 갖는 구조 또는 초격자를 가짐, 예. 터널 접합
06
발광 영역 내부에서, 예. 양자 가둠 구조 또는 터널 장벽
출원인:
QUANTUM SILICON INC. [CA/CA]; 11421 Saskatchewan Drive Edmonton, AB T6G 2M9, CA
발명자:
WOLKOW, Robert, A.; CA
ACHAI, Roshan; CA
HUFF, Taleana; CA
LABIDI, Hatem; CA
LIVADARU, Lucian; CA
PIVA, Paul; CA
RASHIDI, Mohammad; CA
우선권 정보:
62/364,20619.07.2016US
62/379,16424.08.2016US
발명의 명칭: (EN) MULTIPLE SILICON ATOM QUANTUM DOT AND DEVICES INCLUSIVE THEREOF
(FR) POINT QUANTIQUE À ATOME DE SILICIUM MULTIPLE ET DISPOSITIFS Y COMPRIS
요약서:
(EN) A multiple- atom silicon quantum dot is provided that includes multiple dangling bonds on an otherwise H-terminated silicon surface, each dangling bonds having one of three ionization states of +1, 0 or -1 and corresponding respectively to 0, 1, or 2 electrons in a dangling bond state. The dangling bonds together in close proximity and having the dangling bond states energetically in the silicon band gap with selective control of the ionization state of one of the dangling bonds. A new class of electronics elements is provided through the inclusion of at least one input and at least one output to the multiple dangling bonds. Selective modification or creation of a dangling bond is also detailed.
(FR) L'invention concerne un point quantique de silicium à atomes multiples qui comprend de multiples liaisons pendantes sur une surface de silicium à terminaison H, chaque liaison pendante ayant un des trois états d'ionisation de +1, 0 ou -1 et correspondant respectivement à 0, 1 ou 2 électrons dans un état de liaison pendante. Les liaisons pendantes se trouvent à proximité étroite et possèdent les états de liaison pendante énergétiquement dans la bande interdite du silicium avec une régulation sélective de l'état d'ionisation de l'une des liaisons pendantes. Une nouvelle classe d'éléments électroniques est fournie par l'inclusion d'au moins une entrée et d'au moins une sortie aux multiples liaisons pendantes. La modification sélective ou la création d'une liaison pendante est également détaillée.
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공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)