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1. (WO2017154312) MANUFACTURING METHOD FOR ELECTROCHEMICAL DEVICE ELECTRODE AND ELECTROCHEMICAL DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2017/154312 국제출원번호: PCT/JP2016/088709
공개일: 14.09.2017 국제출원일: 26.12.2016
IPC:
H01M 4/04 (2006.01) ,H01G 11/86 (2013.01) ,H01G 13/00 (2013.01) ,H01M 2/34 (2006.01) ,H01M 4/02 (2006.01) ,H01M 4/13 (2010.01) ,H01M 4/139 (2010.01) ,H01M 10/0585 (2010.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
M
화학적 에너지 전기적 에너지 직접 변환하기 위한 방법 또는 수단, 예. 전지
4
전극(전기분해용 전극 C25)
02
활물질로서 되는 또는 활물질을 함유한 전극
04
제조방법일반
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
G
콘덴서; 전해용 콘덴서, 정류기, 검파기, 개폐장치 감광장치 또는 감온장치
11
하이브리드 커페시터, 즉. 다른 양성과 음성 전극을 가지는 커페시터; 전기 이중층(double-layer) 커페시터; 그 제조 또는 그 부품을 위한 처리
84
하이브리드 또는 EDL 커페시터 또는 그 요소의 제조를 위한 방법
86
특히 전극에 적합한 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
G
콘덴서; 전해용 콘덴서, 정류기, 검파기, 개폐장치 감광장치 또는 감온장치
13
콘덴서의 제조에 특히 적합한 장치; 그룹 H01G 4/00에서 H01G 11/00으로 분류되지 않는 콘덴서의 제조에 특히 적합한 방법
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
M
화학적 에너지 전기적 에너지 직접 변환하기 위한 방법 또는 수단, 예. 전지
2
발전요소 이외의 부분의 구조의 세부 또는 그의 제조방법
20
소전지에 관한 도전접속
34
오용 또는 오방전을 방지하기 위한 장치가 있는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
M
화학적 에너지 전기적 에너지 직접 변환하기 위한 방법 또는 수단, 예. 전지
4
전극(전기분해용 전극 C25)
02
활물질로서 되는 또는 활물질을 함유한 전극
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
M
화학적 에너지 전기적 에너지 직접 변환하기 위한 방법 또는 수단, 예. 전지
4
전극(전기분해용 전극 C25)
02
활물질로서 되는 또는 활물질을 함유한 전극
13
비수성(非水性) 전해질 축전지의 전극, 예. 리튬축전지용 전극; 리튬축전지용 전극의 제조공정
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
M
화학적 에너지 전기적 에너지 직접 변환하기 위한 방법 또는 수단, 예. 전지
4
전극(전기분해용 전극 C25)
02
활물질로서 되는 또는 활물질을 함유한 전극
13
비수성(非水性) 전해질 축전지의 전극, 예. 리튬축전지용 전극; 리튬축전지용 전극의 제조공정
139
제조공정
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
M
화학적 에너지 전기적 에너지 직접 변환하기 위한 방법 또는 수단, 예. 전지
10
2차전지; 그의 제조
05
비수성(非水性) 전해질을 가지는 축전지
058
구조 또는 제조
0585
오직 평면형(flat) 구성요소만을 가지는 축전지, 즉 평면형 양극, 음극 및 분리막
출원인:
NECエナジーデバイス株式会社 NEC ENERGY DEVICES, LTD. [JP/JP]; 神奈川県相模原市中央区下九沢1120番地 1120, Shimokuzawa, Chuo-ku, Sagamihara-shi, Kanagawa 2525298, JP
발명자:
平井 政則 HIRAI, Masanori; JP
佐藤 健治 SATO, Kenji; JP
대리인:
宮崎 昭夫 MIYAZAKI, Teruo; JP
緒方 雅昭 OGATA, Masaaki; JP
우선권 정보:
2016-04883811.03.2016JP
발명의 명칭: (EN) MANUFACTURING METHOD FOR ELECTROCHEMICAL DEVICE ELECTRODE AND ELECTROCHEMICAL DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLECTRODE DE DISPOSITIF ÉLECTROCHIMIQUE ET DISPOSITIF ÉLECTROCHIMIQUE
(JA) 電気化学デバイス用電極と電気化学デバイスの製造方法
요약서:
(EN) A method for manufacturing an electrochemical device electrode containing a current collector 9, 11 and an active material layer 10, 12 uses four die heads 15a-15d. The active material layer 10, 12 contains a lower active material layer 10a, 12a and an upper active material layer 10b, 12b. While the current collector 9, 11 is conveyed, a slurry is discharged from the die head 15a, which is the most upstream die head in the conveyance direction S, and the die head 15b, which is the second die head from the upstream side, so as to form the lower active material layers 10a, 12a of two electrodes, and a slurry is discharged from the die head 15c, which is the third die head from the upstream side, and the die head 15d, which is the fourth die head from the upstream side, so as to form the upper active material layers 10b, 12b of two electrodes.
(FR) Un procédé de fabrication d'une électrode de dispositif électrochimique contenant un collecteur de courant 9, 11 et une couche de matière active 10, 12 utilise quatre filières 15a-15d. La couche de matière active 10, 12 contient une couche de matière active inférieure 10a, 12a et une couche de matière active supérieure 10b, 12b. Tandis que le collecteur de courant 9, 11 est transporté, une boue est déchargée à partir de la filière 15a, qui est la filière la plus en amont dans la direction de transport S, et de la filière 15b, qui est la deuxième filière à partir du côté amont, de façon à former les couches de matière active inférieures 10a, 12a de deux électrodes, et une boue est déchargée à partir de la filière 15c, qui est la troisième filière à partir du côté amont, et de la filière 15d, qui est la quatrième filière à partir du côté amont, de manière à former les couches de matière active supérieures 10b, 12b de deux électrodes.
(JA) 集電体9,11と活物質層10,12とを含み、活物質層10,12は下活物質層10a,12aと上活物質層10b,12bとを含む、電気化学デバイス用電極の製造方法が、4つのダイヘッド15a~15dを用いる。集電体9,11を搬送しながら、搬送方向Sの最も上流側のダイヘッド15aと上流側から2番目のダイヘッド15bとからスラリーを吐出して、2つの電極の下活物質層10a,12aを形成し、上流側から3番目のダイヘッド15cと上流側から4番目のダイヘッド15dとからスラリーを吐出して、2つの電極の上活物質層10b,12bを形成する。
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)