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1. (WO2017138951) MEMORY DEVICES WITH VOLATILE AND NON-VOLATILE BEHAVIOR
국제사무국에 기록된 최신 서지정보   

공개번호: WO/2017/138951 국제출원번호: PCT/US2016/017693
공개일: 17.08.2017 국제출원일: 12.02.2016
IPC:
G11C 11/54 (2006.01) ,G11C 15/00 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
11
특정의 전기적 또는 자기적 기억소자의 사용에 따라 특징지워지는 디지털 기억장치; 그를 위한 기억소자
54
생물세포, 예. 신경세포(neuron)을 시뮬레이션 (simulation)한 소자를 사용하는 것
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
15
하나 이상의 특징표시부분을 포함하는 정보가 써넣어지고 정보의 판독은 그들의 하나 이상의 특징표시부분에 대하여 탐색함으로써 행하여지는 디지털 기억장치, 즉 연상기억 또는 내용어드레스 (address) 기억장치
출원인:
HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP [US/US]; 11445 Compaq Center Drive West Houston, Texas 77070, US
발명자:
LI, Zhiyong; US
ZHANG, Lu; US
ZHANG, Minxian; US
대리인:
WARD, Aaron S.; US
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) MEMORY DEVICES WITH VOLATILE AND NON-VOLATILE BEHAVIOR
(FR) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE AYANT UN COMPORTEMENT VOLATILE ET NON VOLATILE
요약서:
(EN) An example device in accordance with an aspect of the present disclosure includes an active oxide layer to form and dissipate a conductive bridge. The conductive bridge is to dissipate spontaneously within a relaxation time to enable the memory device to self-refresh according to volatile behavior in response to the input voltage being below a threshold corresponding to disregarding sneak current and noise of a crossbar array in which the memory device is to operate. The conductive bridge is to persist beyond the relaxation time to enable the memory device to retain programming for neuromorphic computing training according to non-volatile behavior of the memory device in response to the input voltage not being below the threshold.
(FR) Selon un aspect, la présente invention concerne un dispositif donné à titre d'exemple comprenant une couche d'oxyde actif pour former et dissiper un pont conducteur. Le pont conducteur doit se dissiper spontanément dans un temps de relaxation pour permettre au dispositif de mémoire de se régénérer automatiquement en fonction du comportement volatile en réponse à la tension électrique d'entrée étant inférieure à un seuil correspondant sans tenir compte du courant de fuite et le bruit d'un réseau crossbar dans lequel le dispositif de mémoire doit fonctionner. Le pont conducteur doit perdurer au-delà du temps de relaxation pour permettre au dispositif de mémoire de retenir la programmation d'apprentissage informatique neuromorphique selon le comportement non volatile du dispositif de mémoire en réponse à la tension électrique d'entrée n'étant pas inférieure au seuil.
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)