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1. (WO2017036729) METHOD FOR FABRICATING HIGH ASPECT RATIO GRATINGS FOR PHASE CONTRAST IMAGING
국제사무국에 기록된 최신 서지정보   

공개번호: WO/2017/036729 국제출원번호: PCT/EP2016/068658
공개일: 09.03.2017 국제출원일: 04.08.2016
IPC:
G02B 5/18 (2006.01) ,B82Y 10/00 (2011.01) ,B82Y 40/00 (2011.01)
G SECTION G — 물리학
02
광학
B
광학요소, 광학계 또는 광학장치; H01J; X선 광학 H01J; 29/89
5
렌즈 이외 광학요소
18
회절격자
B SECTION B — 처리조작; 운수
82
나노기술
Y
나노 구조의 특별한 사용이나 적용; 나노 구조의 측정이나 분석; 나노 구조의 제조나 처리
10
정보 처리, 저장 또는 전달을 위한 나노 기술, 저장과 전달, 예. 양자 컴퓨팅 또는 단전자 로직
B SECTION B — 처리조작; 운수
82
나노기술
Y
나노 구조의 특별한 사용이나 적용; 나노 구조의 측정이나 분석; 나노 구조의 제조나 처리
40
나노 구조의 제조 또는 처리
출원인:
PAUL SCHERRER INSTITUT [CH/CH]; 5232 Villigen, CH
발명자:
JEFIMOVS, Konstantins; CH
KAGIAS, Matias; CH
ROMANO, Lucia; IT
STAMPANONI, Marco; CH
대리인:
FISCHER, Michael; DE
우선권 정보:
15183242.501.09.2015EP
발명의 명칭: (EN) METHOD FOR FABRICATING HIGH ASPECT RATIO GRATINGS FOR PHASE CONTRAST IMAGING
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE RÉSEAUX À RAPPORT D'ASPECT ÉLEVÉ POUR IMAGERIE À CONTRASTE DE PHASE
요약서:
(EN) A method with several options to manufacture high aspect ratio structures is proposed. The method is based on fabrication of high aspect ratio recess structure in silicon by dry or chemical etching and then filling the high aspect ratio recess with metal by using electroplating, atomic layer deposition, wafer bonding, metal casting or combination of these techniques. The gratings can be used for x-ray or neutron imaging, as well as for space applications.
(FR) La présente invention a trait à un procédé ayant plusieurs options pour la fabrication de structures à rapport d'aspect élevé. Le procédé est basé sur la fabrication d'une structure évidée à rapport d'aspect élevé dans du silicium grâce à une gravure sèche ou chimique, puis grâce au remplissage de l'évidement à rapport d'aspect élevé à l'aide d'un métal par dépôt électrolytique, par dépôt de couche atomique, par connexion sur plaquette, par coulée de métal ou par association de ces techniques. Les réseaux peuvent être utilisés dans l'imagerie par rayons X ou l'imagerie neutronique, ainsi que dans des applications spatiales.
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)