이 애플리케이션의 일부 콘텐츠는 현재 사용할 수 없습니다.
이 상황이 계속되면 다음 주소로 문의하십시오피드백 및 연락
1. (WO2017002854) GAS SENSOR AND METHOD FOR USING SAME
국제사무국에 기록된 최신 서지정보

공개번호: WO/2017/002854 국제출원번호: PCT/JP2016/069267
공개일: 05.01.2017 국제출원일: 29.06.2016
IPC:
G01N 27/00 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
01
측정; 시험
N
재료의 화학적 또는 물리적 성질의 검출에 의한 재료의 조사 또는 분석
27
전기적, 전기화학적 또는 자기적 수단의 이용에 의한 재료의 조사 또는 분석
출원인:
富士通株式会社 FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588, JP
발명자:
原田 直樹 HARADA, Naoki; JP
佐藤 信太郎 SATO, Shintaro; JP
林 賢二郎 HAYASHI, Kenjiro; JP
山口 淳一 YAMAGUCHI, Junichi; JP
대리인:
國分 孝悦 KOKUBUN, Takayoshi; JP
우선권 정보:
2015-13122930.06.2015JP
발명의 명칭: (EN) GAS SENSOR AND METHOD FOR USING SAME
(FR) CAPTEUR DE GAZ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) ガスセンサ及びその使用方法
요약서:
(EN) The present invention includes: semiconductor layers (101-103); a graphene film (105) that is provided above the semiconductor layers (101-103), at least a section thereof coming into contact with a gas; and a barrier film (104) between the semiconductor layers (101-103) and the graphene film (105).
(FR) La présente invention comprend : des couches à semi-conducteur (101-103) ; un film de graphène (105) qui est prévu au-dessus des couches à semi-conducteur (101-103), au moins une section de celui-ci venant en contact avec un gaz ; et un film barrière (104) entre les couches à semi-conducteur (101-103) et le film de graphène (105).
(JA) 半導体層(101~103)と、半導体層(101~103)上方に設けられ、少なくとも一部が気体に接するグラフェン膜(105)と、半導体層(101~103)とグラフェン膜(105)との間のバリア膜(104)と、が含まれる。
front page image
지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)
또한로 출판 됨:
CN107709979US20180136157