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1. (WO2017002564) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보   

공개번호: WO/2017/002564 국제출원번호: PCT/JP2016/067108
공개일: 05.01.2017 국제출원일: 08.06.2016
IPC:
C23C 14/02 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
C SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
14
피복형성재료의 진공증착, 스퍼터링, 또는 이온주입에 의한 피복
02
.피복될 재료의 전처리
H SECTION H — 전기
05
달리 분류되지 않는 전기기술
H
플라스마(Plasma) 기술; 가속된 하전입자 또는 중성자의 발생; 중성분자 또는 전자빔의 발생 또는 가속
1
플라스마의 생성; 플라스마 취급
24
플라스마의 발생
46
전자계를 사용하는 것, 예. 고주파 또는 마이크로파 에너지
출원인:
株式会社 アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
발명자:
藤長 徹志 FUJINAGA, Tetsushi; JP
井堀 敦仁 IHORI, Atsuhito; JP
松本 昌弘 MATSUMOTO, Masahiro; JP
谷 典明 TANI, Noriaki; JP
岩井 治憲 IWAI, Harunori; JP
岩田 賢二 IWATA, Kenji; JP
佐藤 良直 SATO, Yoshinao; JP
대리인:
恩田 誠 ONDA, Makoto; JP
우선권 정보:
2015-12970029.06.2015JP
발명의 명칭: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置
요약서:
(EN) Provided is a substrate processing device comprising an anode unit (17) that includes a first plate (23) and a second plate (24). The first plate (23) includes a plurality of first through-holes (23a), and by causing a gas to flow through the first through-holes, causes the gas to diffuse in the direction of the surface of the first plate (23). The second plate (24) includes a plurality of second through-holes (24a) that are larger than the first through-holes (23a). The second plate (24) causes the gas that has passed through the first through-holes (23a) to flow between the second plate (24) and a cathode stage through the plurality of second through-holes (24a). The second through-holes (24a) have a shape such that the emission intensity of plasma inside each second through-hole can be made higher than the emission intensity of plasma generated between the second plate (24) and the cathode stage.
(FR) L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat comprenant une unité d'anode (17) qui comprend une première plaque (23) et une deuxième plaque (24). La première plaque (23) comprend une pluralité de premiers trous traversants (23a), et en amenant un gaz à s'écouler à travers les premiers trous traversants, amène le gaz à diffuser dans la direction de la surface de la première plaque (23). La deuxième plaque (24) comprend une pluralité de deuxièmes trous traversants (24a) qui sont plus grands que les premiers trous traversants (23a). La deuxième plaque (24) amène le gaz qui a traversé les premiers trous traversants (23a) à s'écouler entre la deuxième plaque (24) et un étage de cathode à travers la pluralité de deuxièmes trous traversants (24a). Les deuxièmes trous traversants (24a) ont une forme telle que l'intensité d'émission de plasma à l'intérieur de chaque deuxième trou traversant puisse être rendue supérieure à l'intensité d'émission de plasma générée entre la deuxième plaque (24) et l’étage de cathode.
(JA) 基板処理装置は、第1プレート(23)と第2プレート(24)とを含むアノードユニット(17)を備える。第1プレート(23)は複数の第1貫通孔(23a)を含み、第1貫通孔を通じてガスを流すことによって、ガスを第1プレート(23)の面方向へ拡散させる。第2プレート(24)は、第1貫通孔(23a)よりも大きい複数の第2貫通孔(24a)を含む。第2プレート(24)は、第1貫通孔(23a)を通過したガスを、複数の第2貫通孔(24a)を通じて第2プレート(24)とカソードステージとの間に流す。第2貫通孔(24a)は、各第2貫通孔の内部におけるプラズマの発光強度が、第2プレート(24)とカソードステージとの間に生成されるプラズマの発光強度よりも高められる形状を有している。
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공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)