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1. (WO2017002196) MATCHING BOX AND MATCHING METHOD
국제사무국에 기록된 최신 서지정보

공개번호: WO/2017/002196 국제출원번호: PCT/JP2015/068820
공개일: 05.01.2017 국제출원일: 30.06.2015
IPC:
H05H 1/46 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H03H 7/40 (2006.01)
H SECTION H — 전기
05
달리 분류되지 않는 전기기술
H
플라스마(Plasma) 기술; 가속된 하전입자 또는 중성자의 발생; 중성분자 또는 전자빔의 발생 또는 가속
1
플라스마의 생성; 플라스마 취급
24
플라스마의 발생
46
전자계를 사용하는 것, 예. 고주파 또는 마이크로파 에너지
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
30
21/20~ 21/26에 분류되지 않은 방법이나 장비를 사용한 반도체본체의 처리
302
반도체표면의 물리적 성질 또는 그 형상의 변환, 예. 에칭(etching), 경면연마(polishing), 절단(cutting)
306
화학적 또는 전기적 처리. 예. 전해에칭
3065
플라스마(plasma) 에칭; 반응성 이온 에칭
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
30
21/20~ 21/26에 분류되지 않은 방법이나 장비를 사용한 반도체본체의 처리
31
반도체본체상에 절연층 형성. 예. 마스킹용 또는 사진석판기술의 이용에 의한 것; 절연층의 후처리; 절연층에 적합한 물질의 선택
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
H
임피던스회로망, 예. 공진회로; 공진기
7
회로망의 부품으로서 수동적 전기소자만을 포함하는 다단자 회로망
38
임피던스 정합 회로망
40
전원임피던스에 대한 부하임피던스의 자동정합
출원인:
株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 東京都港区西新橋二丁目15番12号 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039, JP
발명자:
藤本 直也 FUJIMOTO Naoya; JP
加藤 規一 KATO Norikazu; JP
押田 善之 OSHIDA Yoshiyuki; JP
대리인:
ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.; 東京都中央区日本橋茅場町二丁目13番11号 13-11, Nihonbashikayabacho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030025, JP
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) MATCHING BOX AND MATCHING METHOD
(FR) BOÎTE D'ADAPTATION ET PROCÉDÉ D'ADAPTATION
(JA) 整合器及び整合方法
요약서:
(EN) Provided is a matching box comprising the following: a directional coupler that detects traveling waves and reflected waves; a matching circuit having a first variable capacitance capacitor, a second variable capacitance capacitor, and inductance; and a control unit that calculates a reflection coefficient on the basis of the traveling waves and the reflected waves, and controls a capacitance value VC1 of the first variable capacitance capacitor and a capacitance value VC2 of the second variable capacitance capacitor, wherein the control unit changes VC2 if the distance between a matching circle drawn by the trajectory of the reflection coefficient passing through a matching point on a Smith chart, and the calculated reflection coefficient is greater than a prescribed value, and changes VC1 if such distance is set to be no greater than the prescribed value and when the value of such distance becomes no greater than the prescribed value, thereby reducing the reflection coefficient.
(FR) L'invention concerne une boîte d'adaptation comprenant les éléments suivants : un coupleur directionnel qui détecte des ondes progressives et des ondes réfléchies; un circuit d'adaptation ayant un premier condensateur à capacitance variable, un second condensateur à capacitance variable, et une inductance; et une unité de commande qui calcule un coefficient de réflexion sur la base des ondes progressives et des ondes réfléchies, et commande une valeur de capacité VC1 du premier condensateur à capacitance variable et une valeur de capacité VC2 du second condensateur à capacitance variable, laquelle unité de commande modifie VC2 si la distance entre un cercle d'adaptation tracé par la trajectoire du coefficient de réflexion passant par un point d'adaptation sur un diagramme de Smith, et lequel coefficient de réflexion calculé est supérieur à une valeur prescrite, et change VC1 si une telle distance est réglée pour ne pas être supérieure à la valeur prescrite et lorsque la valeur de ladite distance est inférieure ou égale à la valeur prescrite, ce qui permet de réduire le coefficient de réflexion.
(JA) 進行波と反射波とを検出する方向性結合器と、第1の可変容量コンデンサと第2の可変容量コンデンサとインダクタンスとを有する整合回路と、進行波と反射波とに基づき反射係数を算出し第1の可変容量コンデンサの容量値VC1と前記第2の可変容量コンデンサの容量値VC2とを制御する制御部と、を備える整合器において、制御部は、スミスチャート上で整合点を通過する反射係数の軌跡が描く整合円と、算出された反射係数との間の距離が所定値より大きい場合は、VC2を変更して、前記距離を前記所定値以内とし、前記距離が前記所定値以内になると、VC1を変更して反射係数を小さくする。
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)
또한로 출판 됨:
KR1020180010239JPWO2017002196US20180191324