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1. (WO2016193968) METROLOGY INSPECTION APPARATUS
국제사무국에 기록된 최신 서지정보   

공개번호: WO/2016/193968 국제출원번호: PCT/IL2016/050555
공개일: 08.12.2016 국제출원일: 29.05.2016
IPC:
G01N 23/22 (2006.01) ,G01N 21/00 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
01
측정; 시험
N
재료의 화학적 또는 물리적 성질의 검출에 의한 재료의 조사 또는 분석
23
그룹 G01N 21/00 또는 G01N 22/00에 포함되지 않는 파동 또는 입자성 방사선에 의한 재료조사 또는 분석, 예. X-레이 중성자선
22
이차방사의 측정에 의한 것
G SECTION G — 물리학
01
측정; 시험
N
재료의 화학적 또는 물리적 성질의 검출에 의한 재료의 조사 또는 분석
21
광학적 수단, 즉 적외선, 가시광선, 또는 자외선을 사용하는 것에 의한 재료의 조사 또는 분석
출원인:
XWINSYS LTD. [IL/IL]; 6 Haticshoret Street Rama Gabriel 20307049 Migdal Haemek, IL
발명자:
REINIS, Doron; IL
GEFFEN, Michael; IL
PERETZ, Roni; IL
SMITH, Colin; IL
대리인:
LUDAR, Aryeh; Pastel LTD. 39 Barkan Street P O Box 84 2014200 Yuvalim, IL
우선권 정보:
62/169,01801.06.2015US
발명의 명칭: (EN) METROLOGY INSPECTION APPARATUS
(FR) APPAREIL D'INSPECTION DE MÉTROLOGIE
요약서:
(EN) METROLOGY INSPECTION APPARATUS [001]The present disclosure provides a method and an apparatus for apparatus for inspecting a semiconductor wafer for abnormalities by accurately measuring elemental concentration at a target area. The apparatus includes an x-ray imaging subsystem for measuring an elemental composition at the target area of the semiconductor wafer. The apparatus further includes an edxrf subsystem for measuring an elemental concentration at the target area of the semiconductor wafer. The elemental concentration may be calibrated by first correlating the elemental concentration measurements obtained using x-ray imaging system for the target area with the elemental concentration measurements obtained using the edxrf subsystem for the target area to receive an augmented and accurate elemental concentration measurement for the target area of the semiconductor wafer.
(FR) La présente invention concerne un procédé et un appareil permettant d'inspecter une tranche de semi-conducteur par rapport à des anomalies en mesurant précisément la concentration élémentaire au niveau d'une zone cible. L'appareil comprend : un sous-système d'imagerie par rayons X conçu pour mesurer une composition élémentaire au niveau de la zone cible de la tranche de semi-conducteur ; et un sous-système edxrf conçu pour mesurer une concentration élémentaire au niveau de la zone cible de la tranche de semi-conducteur. La concentration élémentaire peut être étalonnée en corrélant les mesures des concentrations élémentaires obtenues en utilisant un système d'imagerie par rayons X pour la zone cible aux mesures des concentrations élémentaires obtenues en utilisant le sous-système edxrf pour la zone cible de façon à recevoir une mesure de concentration élémentaire augmentée et précise pour la zone cible de la tranche de semi-conducteur.
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)