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1. (WO2015199539) PLASMA SOURCE AND SURFACE TREATMENT METHOD
국제사무국에 기록된 최신 서지정보

공개번호: WO/2015/199539 국제출원번호: PCT/NL2015/050463
공개일: 30.12.2015 국제출원일: 25.06.2015
IPC:
C23C 16/455 (2006.01) ,C23C 16/513 (2006.01) ,H01J 37/32 (2006.01) ,H05H 1/24 (2006.01) ,H01L 21/314 (2006.01)
C SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
16
가스상 화합물의 분해에 의한 화학적 피복, 단 표면재료의 반응생성물을 피복층중에 남기지 않는것, 즉 화학증착법
44
.피복방법에 특징이 있는 것
455
반응실 안으로 가스를 도입하거나 반응실 안의 가스흐름을 조정하는 방법에 특징이 있는 것
C SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
16
가스상 화합물의 분해에 의한 화학적 피복, 단 표면재료의 반응생성물을 피복층중에 남기지 않는것, 즉 화학증착법
44
.피복방법에 특징이 있는 것
50
방전을 사용하는 것
513
플라스마 제트를 사용하는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
J
전자관 또는 방전램프
37
방전에 노출되는(exposed) 물체 또는 재료를 도입하는 설비가 있는 전자관, 예. 그 시험 또는 처리를 위한 것
32
가스 넣는 방전관
H SECTION H — 전기
05
달리 분류되지 않는 전기기술
H
플라스마(Plasma) 기술; 가속된 하전입자 또는 중성자의 발생; 중성분자 또는 전자빔의 발생 또는 가속
1
플라스마의 생성; 플라스마 취급
24
플라스마의 발생
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
30
21/20~ 21/26에 분류되지 않은 방법이나 장비를 사용한 반도체본체의 처리
31
반도체본체상에 절연층 형성. 예. 마스킹용 또는 사진석판기술의 이용에 의한 것; 절연층의 후처리; 절연층에 적합한 물질의 선택
314
무기물층
출원인:
NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO [NL/NL]; Anna van Buerenplein 1 NL-2595 DA 's-Gravenhage, NL
발명자:
CREYGHTON, Yves Lodewijk Maria; NL
POODT, Paulus Willibrordus George; NL
SIMOR, Marcel; NL
ROOZEBOOM, Freddy; NL
대리인:
JANSEN, C.M.; NL
우선권 정보:
14173878.125.06.2014EP
발명의 명칭: (EN) PLASMA SOURCE AND SURFACE TREATMENT METHOD
(FR) SOURCE DE PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SURFACE
요약서:
(EN) Plasma source and surface treatment method. A plasma source has an outer surface (12), interrupted by an aperture (14) for delivering an atmospheric plasma from the outer surface. A transport mechanism (11) transports a substrate (10) in parallel with the outer surface, closely to the outer surface, so that gas from the atmospheric plasma may form a gas bearing between the outer surface the and the substrate. A first electrode (16a,b) of the plasma source has a first and second surface extending from an edge of the first electrode that runs along the aperture. The first surface defines the outer surface on a first side of the aperture. The distance between the first and second surface increasing with distance from the edge. A second electrode (17) covered at least partly by a dielectric layer (18) is provided with the dielectric layer facing the second surface of the first electrode, substantially in parallel with the second surface of the first electrode, leaving a plasma initiation space on said first side of the aperture, between the surface of the dielectric layer and the second surface of the first electrode. A gas inlet (19a,b) feeds into the plasma initiation space to provide gas flow from the gas inlet to the aperture through the plasma initiation space. Atmospheric plasma initiated in the plasma initiation space flows to the aperture, from which it leaves to react with the surface of the substrate.
(FR) L'invention concerne une source de plasma et un procédé de traitement de surface. Une source de plasma présente une surface extérieure (12), interrompue par une ouverture (14) pour distribuer un plasma atmosphérique depuis la surface extérieure. Un mécanisme de transport (11) transporte un substrat (10) en parallèle avec la surface extérieure, à proximité de la surface extérieure, de sorte qu'un gaz provenant du plasma atmosphérique puisse former un palier à gaz entre la surface extérieure et le substrat. Une première électrode (16a,b) de la source de plasma comporte une première et une seconde surface s'étendant depuis un bord de la première électrode qui s'étend le long de l'ouverture. La première surface délimite la surface extérieure sur un premier côté de l'ouverture. La distance entre la première et la seconde surface augmente avec la distance à partir du bord. Une seconde électrode (17) recouverte au moins en partie par une couche diélectrique (18) est dotée de la couche diélectrique faisant face à la seconde surface de la première électrode, sensiblement en parallèle avec la seconde surface de la première électrode, en laissant un espace d'amorçage de plasma sur ledit premier côté de l'ouverture, entre la surface de la couche diélectrique et la seconde surface de la première électrode. Une entrée de gaz (19a,b) donne sur l'espace d'amorçage de plasma pour former un écoulement de gaz de l'entrée de gaz à l'ouverture, à travers l'espace d'amorçage de plasma. Le plasma atmosphérique amorcé dans l'espace d'amorçage de plasma s'écoule vers l'ouverture, qu'il quitte pour réagir avec la surface du substrat.
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아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)
또한로 출판 됨:
US20170137939EP3161182
실시허가 이용가능성 신청 출원인은 본 국제출원의 청구된 발명(들)에 대한 실시허가 목적의 이용가능성 표시를 국제사무국에 신청했습니다