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1. (WO2014190613) QUANTUM DOT LIGHT-EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD AND DISPLAY DEVICE FOR SAME
국제사무국에 기록된 최신 서지정보   

공개번호: WO/2014/190613 국제출원번호: PCT/CN2013/080827
공개일: 04.12.2014 국제출원일: 05.08.2013
IPC:
H01L 25/13 (2006.01) ,H01L 33/06 (2010.01) ,G09F 9/33 (2006.01) ,H01L 33/00 (2010.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
25
복수의 개별 반도체 또는 다른 고체장치로 구성된 조립체
03
장치가 모두 그룹 H01L 27/00 ~ H01L 51/00의 동일 서브그룹에 분류되는 형식의 것, 예. 정류다이오드의 조립체
10
개별의 용기가 있는 장치
13
장치가 그룹 H01L 33/00으로 분류되는 형식의 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
33
광, 예, 적외광, 의 방출에 특별히 적용되는 적어도 한개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 반도체 장치;그들 장치 또는 그 부품의 제조, 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치;그들 장치의 세부 '
02
반도체 몸체에 특징이 있는 것
04
양자효과를 갖는 구조 또는 초격자를 가짐, 예. 터널 접합
06
발광 영역 내부에서, 예. 양자 가둠 구조 또는 터널 장벽
G SECTION G — 물리학
09
교육; 암호방법; 전시; 광고; 봉인
F
표시; 광고; 사인; 라벨 또는 명찰; 시일
9
정보가 개별소자의 선택 또는 조합에 의하여 지지체상에 형성되는 가변정보용의 표시장치
30
필요한 문자가 개개요소를 조합하는 것에 의하여 형성되는 것
33
반도체 장치(예: 다이오드) 가 있는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
33
광, 예, 적외광, 의 방출에 특별히 적용되는 적어도 한개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 반도체 장치;그들 장치 또는 그 부품의 제조, 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치;그들 장치의 세부 '
출원인:
北京京东方光电科技有限公司 BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 经济技术开发区西环中路8号 No.8 Xihuanzhonglu, BDA Beijing 100176, CN
京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 朝阳区酒仙桥路10号 No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
발명자:
蔡佩芝 CAI, Peizhi; CN
대리인:
北京市柳沈律师事务所 LIU, SHEN & ASSOCIATES; 中国北京市海淀区彩和坊路10号1号楼10层 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080, CN
우선권 정보:
201310201938.527.05.2013CN
발명의 명칭: (EN) QUANTUM DOT LIGHT-EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD AND DISPLAY DEVICE FOR SAME
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À POINT QUANTIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE ASSOCIÉS
(ZH) 量子点发光二极管及其制备方法、显示器件
요약서:
(EN) A quantum dot light-emitting diode, comprising: a first electrode (20) and a second electrode (30), a quantum dot light-emitting layer (40) disposed between the two electrodes, the quantum dot light-emitting layer (40) comprising at least red quantum dots (401), green quantum dots (402), and blue quantum dots (403), and black matrices (50) disposed at least between the red quantum dots (401), the green quantum dots (402), and the blue quantum dots (403); of the first electrode (20) and the second electrode (30), at least the electrode positioned on the light-emitting side is transparent. The present quantum dot light-emitting diode achieves full-colour display and can effectively improve pixel aperture ratio. Also disclosed are a manufacturing method and display device for the quantum dot light-emitting diode.
(FR) La présente invention concerne une diode électroluminescente à points quantiques, comprenant : une première électrode (20) et une seconde électrode (30), une couche électroluminescente à points quantiques (40) agencée entre les deux électrodes, la couche de électroluminescente à points quantiques comprenant au moins des points quantiques rouges (401), des points quantiques verts (402), des points quantiques bleus (403) et des matrices noires (50) disposées au moins entre les points quantiques rouges (401), les points quantiques verts (402) et les points quantiques bleus (403); entre la première électrode (20) et la seconde électrode (30), au moins l'électrode placée du côté électroluminescent est transparente. La présente diode électroluminescente à points quantiques permet d'obtenir un affichage couleur et d'améliorer efficacement le rapport d'ouverture des pixels. L'invention concerne également un procédé de fabrication et un dispositif d'affichage pour la diode électroluminescente à points quantiques.
(ZH) 一种量子点发光二极管包括:第一电极(20)和第二电极(30),设置于两电极之间的量子点发光层(40),所述量子点发光层(40)至少包括红光量子点(401)、绿光量子点(402)和蓝光量子点(403),以及至少设置于所述红光量子点(401)、绿光量子点(402)以及蓝光量子点(403)之间的黑矩阵(50);其中,所述第一电极(20)和所述第二电极(30)中位于出光一侧的电极至少为透明。该量子点发光二极管可实现全彩化显示,并可有效提高像素开口率。还公开了量子点发光二极管的制备方法、显示器件。
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아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 중국어 (ZH)
출원언어: 중국어 (ZH)