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1. (WO2014111314) SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING HARDNESS BUFFER AND USE THEREOF
국제사무국에 기록된 최신 서지정보

공개번호: WO/2014/111314 국제출원번호: PCT/EP2014/050395
공개일: 24.07.2014 국제출원일: 10.01.2014
IPC:
H01L 21/02 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
출원인:
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 München, DE
발명자:
DIMROTH, Frank; DE
KLINGER, Vera; DE
대리인:
PFENNING, MEINIG & PARTNER GBR; Theresienhöe 13 80339 München, DE
우선권 정보:
10 2013 000 882.418.01.2013DE
발명의 명칭: (DE) HALBLEITERBAUELEMENT MIT HÄRTEPUFFER UND DESSEN VERWENDUNG
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING HARDNESS BUFFER AND USE THEREOF
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR DOTÉ D'UN TAMPON DE DURETÉ ET SON UTILISATION
요약서:
(DE) Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, welches einen gegenüber dem Stand der Technik verbesserten Härtepuffer aufweist. Dadurch werden geringere durchstoßende Versetzungsdichten, vor allem für Pufferschichten mit ansteigender Gitterkonstante, erreicht. Bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement kann es sich um eine Solarzelle handeln. In diesem Fall wird durch den verbesserten Härtepuffer eine wesentlich höhere Effizienz der Solarzelle im Vergleich mit herkömmlichen Solarzellen beobachtet. Weiterhin wird die Verwendung des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements oder der erfindungsgemäßen Mehrfachsolarzelle zur Stromerzeugung in Satelliten im Weltraum oder in terrestrischen photovoltaischen Konzentratorsystemen vorgeschlagen.
(EN) The invention relates to a semiconductor component that has an improved hardness buffer compared to the prior art. Lower penetrating dislocation densities are achieved thereby, especially for buffer layers having an increasing lattice constant. The semiconductor component according to the invention can be a solar cell. In this case a substantially higher efficiency of the solar cell is observed compared to conventional solar cells, thanks to the improved hardness buffer. The invention further relates to the use of the semiconductor component according to the invention or of the multiple solar cell according to the invention for energy generation in satellites in space or in terrestrial photovoltaic concentrator systems.
(FR) L'invention concerne un élément semi-conducteur présentant un tampon de dureté amélioré par rapport à l'état de la technique, ce qui permet d'obtenir des densités de dislocations émergentes réduites surtout pour des couches tampons aux constantes de réseau croissantes. L'élément semi-conducteur selon l'invention peut être une cellule solaire. Dans ce cas, le tampon de dureté amélioré permet d'observer une nette augmentation de l'efficacité de la cellule solaire par rapport aux cellules solaires classiques. En outre, il est proposé d'utiliser l'élément semi-conducteur selon l'invention ou la cellule solaire multiple selon l'invention pour produire de l'électricité dans les satellites dans l'espace ou bien dans des systèmes concentrateurs photovoltaïques terrestres.
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유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 독일어 (DE)
출원언어: 독일어 (DE)