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1. (WO2014083218) METHOD FOR PRODUCING A DIELECTRIC AND/OR BARRIER LAYER OR MULTILAYER ON A SUBSTRATE, AND DEVICE FOR IMPLEMENTING SAID METHOD
국제사무국에 기록된 최신 서지정보

공개번호: WO/2014/083218 국제출원번호: PCT/ES2013/000264
공개일: 05.06.2014 국제출원일: 27.11.2013
국제예비심사 청구일: 29.09.2014
IPC:
C23C 14/10 (2006.01) ,C23C 14/35 (2006.01) ,C23C 16/40 (2006.01) ,C23C 16/509 (2006.01)
C SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
14
피복형성재료의 진공증착, 스퍼터링, 또는 이온주입에 의한 피복
06
.피복재료에 특징이 있는 것
10
유리 또는 실리카
C SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
14
피복형성재료의 진공증착, 스퍼터링, 또는 이온주입에 의한 피복
22
.피복공정에 특징이 있는 것
34
스퍼터링
35
자기장의 적용에 의한 것, 예. 마그네트론 스퍼터링
C SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
16
가스상 화합물의 분해에 의한 화학적 피복, 단 표면재료의 반응생성물을 피복층중에 남기지 않는것, 즉 화학증착법
22
.금속질재료이외의 무기질재료의 증착에 특징이 있는 것
30
화합물, 혼합물 또는 고용체의 증착, 예. 붕소화물, 탄화물, 질화물
40
산화물
C SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
16
가스상 화합물의 분해에 의한 화학적 피복, 단 표면재료의 반응생성물을 피복층중에 남기지 않는것, 즉 화학증착법
44
.피복방법에 특징이 있는 것
50
방전을 사용하는 것
505
고주파 방전을 사용하는 것
509
내부전극을 사용하는 것
출원인:
ABENGOA SOLAR NEW TECHNOLOGIES, S.A. [ES/ES]; Campus Palmas Altas C/ Energía Solar, 1 E-41014 - Sevilla, ES
발명자:
GIL ROSTRA, Jorge; ES
RICO GAVIRA, Victor; ES
YUBERO VALENCIA, Francisco; ES
ESPINÓS MANZORRO, Juan Pedro; ES
RODRÍGUEZ GONZÁLEZ-ELIPE, Agustín; ES
SÁNCHEZ CORTEZÓN, Emilio; ES
DELGADO SÁNCHEZ, Jose María; ES
대리인:
GARCIA-CABRERIZO Y DEL SANTO, Pedro Maria; Vitruvio, 23 E-28006 Madrid, ES
우선권 정보:
12380053.428.11.2012EP
발명의 명칭: (EN) METHOD FOR PRODUCING A DIELECTRIC AND/OR BARRIER LAYER OR MULTILAYER ON A SUBSTRATE, AND DEVICE FOR IMPLEMENTING SAID METHOD
(ES) PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACIÓN DE UNA CAPA O MULTICAPA BARRERA Y/O DIELÉCTRICA SOBRE UN SUSTRATO Y DISPOSITIVO PARA SU REALIZACIÓN
(FR) PROCÉDÉ POUR LA PRÉPARATION D'UNE COUCHE OU DE PLUSIEURS COUCHES FORMANT BARRIÈRE ET/OU DE TYPE DIÉLECTRIQUE SUR UN SUBSTRAT ET DISPOSITIF POUR SA MISE EN OEUVRE
요약서:
(EN) The invention relates to a method for producing dielectric and/or barrier layers on a substrate, characterised in that it comprises the following steps: (a) cleaning substrates, (b) placing the substrate in a sample carrier and introducing same into a vacuum chamber, (c) dosing an inert gas and a reactive gas into said vacuum chamber, (d) injecting, into said vacuum chamber, a volatile precursor that has at least one cation of the compound to be deposited, (e) activating a radiofrequency source and activating at least one magnetron, (f) decomposition of the volatile precursor by plasma, producing the reaction between the cation of the volatile precursor and the reactive gas at the same time as the reaction is produced between the reactive gas contained in the plasma with the cation generated from the target by cathode sputtering, thereby generating the deposition of the film on the substrate. The invention also relates to the device for carrying out said method.
(ES) La presente invención se refiere a un procedimiento para la preparación de capas barrera y/o dieléctricas sobre un sustrato caracterizado por que comprende las siguientes etapas: (a) limpieza de sustratos, (b) colocación del sustrato en un porta muestras e introducción del mismo en el interior de una cámara de vacío, (c) dosificación en dicha cámara de vacío de un gas inerte y un gas reactivo, (d) inyección en la cámara de vacío de un precursor volátil que tenga al menos un catión del compuesto a depositar, (e) activación de una fuente de radiofrecuencia y activación de al menos un magnetrón, (f) descomposición del precursor volátil por plasma, produciéndose la reacción entre el catión del precursor volátil y el gas reactivo al mismo tiempo que se produce la reacción entre el gas reactivo contenido en el plasma con el catión procedente del blanco por pulverización catódica, provocando así la deposición de la película sobre el sustrato. Es también objeto de la invención el dispositivo para llevar a cabo dicho procedimiento.
(FR) La présente invention concerne un procédé pour la préparation d'une couche ou de plusieurs couches formant barrière et/ou de type diélectrique sur un substrat, lequel procédé est caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: (a) nettoyage des substrats, (b) mise en place du substrat dans un porte-échantillons et introduction de ce dernier dans une chambre à vide, (c) dosage dans ladite chambre d'un gaz inerte et d'un gaz réactif, (d) injection dans la chambre à vide d'un précurseur volatil qui comporte au moins un cation du composé à déposer, (e) activation d'une source de radiofréquence et activation d'au moins un magnétron, (f) décomposition du précurseur volatil par plasma, la réaction se produisant entre le cation du précurseur volatil et le gaz réactif en même temps que se produit la réaction entre le gaz réactif contenu dans le plasma avec le cation provenant de la cible par pulvérisation cathodique, provoquant ainsi le dépôt de la pellicule sur le substrat. La présente invention porte également sur le dispositif permettant de mettre en oeuvre ledit procédé.
front page image
지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 스페인어 (ES)
출원언어: 스페인어 (ES)
또한로 출판 됨:
CN104955978KR1020150099764US20150325418ES2542252