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1. (WO2013095343) GROUP III-N NANOWIRE TRANSISTORS
국제사무국에 기록된 최신 서지정보

공개번호: WO/2013/095343 국제출원번호: PCT/US2011/065919
공개일: 27.06.2013 국제출원일: 19.12.2011
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
68
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르지 않는 하나의 전극에 단지 전위를 부여하거나, 단지 전류을 제공하는 것만으로 제어되는 것
76
유니폴라(unipolar) 장치
772
전계 효과 트랜지스터
78
절연된 게이트에 의해 발생되는 전계효과를 갖는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
334
유니폴라(unipolar)형 장치를 제조하기 위한 다단계공정
335
전계효과 트랜지스터(FET)
336
절연게이트를 갖는 것
출원인:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard MS: RNB-4-150 Santa Clara, California 95052, US (AllExceptUS)
THEN, Han Wui [MY/US]; US (UsOnly)
CHAU, Robert [US/US]; US (UsOnly)
CHU-KUNG, Benjamin [US/US]; US (UsOnly)
DEWEY, Gilbert [US/US]; US (UsOnly)
KAVALIEROS, Jack [US/US]; US (UsOnly)
METZ, Matthew V. [US/US]; US (UsOnly)
MUKHERJEE, Niloy [IN/US]; US (UsOnly)
PILLARISETTY, Ravi [US/US]; US (UsOnly)
RADOSAVLJEVIC, Marko [US/US]; US (UsOnly)
발명자:
THEN, Han Wui; US
CHAU, Robert; US
CHU-KUNG, Benjamin; US
DEWEY, Gilbert; US
KAVALIEROS, Jack; US
METZ, Matthew V.; US
MUKHERJEE, Niloy; US
PILLARISETTY, Ravi; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
대리인:
VINCENT, Lester J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, California 94086, US
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) GROUP III-N NANOWIRE TRANSISTORS
(FR) TRANSISTORS À NANOFILS DU GROUPE III-N
요약서:
(EN) A group III-N nanowire is disposed on a substrate. A longitudinal length of the nanowire is defined into a channel region of a first group III-N material, a source region electrically coupled with a first end of the channel region, and a drain region electrically coupled with a second end of the channel region. A second group III-N material on the first group III-N material serves as a charge inducing layer, and/or barrier layer on surfaces of nanowire. A gate insulator and/or gate conductor coaxially wraps completely around the nanowire within the channel region. Drain and source contacts may similarly coaxially wrap completely around the drain and source regions.
(FR) La présente invention concerne un nanofil du groupe III-N disposé sur un substrat. Une longueur longitudinale du nanofil est définie dans une région de canal d'une première matière du groupe III-N, une région de source couplée électriquement à une première extrémité de la région de canal et une région de drain couplée électriquement à une seconde extrémité de la région de canal. Une seconde matière du groupe III-N située sur la première matière du groupe III-N sert de couche d'induction de charge et/ou de couche de barrière sur les surfaces de nanofil. Un diélectrique de grille et/ou un conducteur de grille enveloppent coaxialement la totalité du nanofil à l'intérieur de la région de canal. Les contacts de drain et de source peuvent, de façon similaire, envelopper coaxialement la totalité des régions de drain et de source.
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)
또한로 출판 됨:
US20130279145CN104011868DE112011105945