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1. (WO2013010113) NON-CONTACT TRANSFER PRINTING
국제사무국에 기록된 최신 서지정보

공개번호: WO/2013/010113 국제출원번호: PCT/US2012/046744
공개일: 17.01.2013 국제출원일: 13.07.2012
IPC:
B41J 29/38 (2006.01)
B SECTION B — 처리조작; 운수
41
스탬프; 타이프라이터; 복사기; 인쇄
J
타이프 라이터; 선택적 프린팅 기구, 즉 조판 이외의 수단으로 프린팅하는 기구; 오타의 수정
29
달리 분류되지 않는 타이프 라이터 또는 선택적 인자 기구의 세부 또는 그 부속 장치
38
인자 기구 전체에 대한 구동 장치, 전동기 제어 장치 또는 자동 정지 장치
출원인:
THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS [US/US]; 352 Henry Administration Building 506 South Wright Street Urbana, Illinois 61801, US (AllExceptUS)
ROGERS, John, A. [US/US]; US (UsOnly)
FERREIRA, Placid, M. [IN/US]; US (UsOnly)
SAEIDPOURAZAR, Reza [IR/US]; US (UsOnly)
발명자:
ROGERS, John, A.; US
FERREIRA, Placid, M.; US
SAEIDPOURAZAR, Reza; US
대리인:
MARSHALL, Shireen, R.; Greenlee Sullivan, P.C. 4875 Pearl East Circle Suite 200 Boulder, CO 80301, US
우선권 정보:
61/507,78414.07.2011US
61/594,65203.02.2012US
발명의 명칭: (EN) NON-CONTACT TRANSFER PRINTING
(FR) IMPRESSION PAR TRANSFERT SANS CONTACT
요약서:
(EN) A transfer printing process that exploits the mismatch in mechanical or thermo-mechanical response at the interface of a printable micro- or nano-device and a transfer stamp to drive the release of the device from the stamp and its non-contact transfer to a receiving substrate are provided. The resulting facile, pick-and-place process is demonstrated with the assembling of 3-D microdevices and the printing of GAN light-emitting diodes onto silicon and glass substrates. High speed photography is used to provide experimental evidence of thermo-mechanically driven release.
(FR) L'invention porte sur un procédé d'impression par transfert qui exploite le décalage dans la réponse mécanique ou thermomécanique à l'interface d'un microdispositif ou nanodispositif imprimable et d'un tampon transfert pour entraîner la libération du dispositif du tampon et son transfert sans contact sur un substrat de réception. Le procédé facile de transfert par preneur-placeur résultant est démontré par l'assemblage de microdispositifs en 3 dimensions et l'impression de diodes électroluminescentes de réseau global (GAN) sur des substrats de silicium et de verre. Une photographie ultra rapide est utilisée pour fournir une preuve expérimentale de la libération entraînée de façon thermomécanique.
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아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)