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1. (WO2007102471) PHOTOELECTRIC SURFACE, ELECTRON TUBE COMPRISING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC SURFACE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보   

공개번호: WO/2007/102471 국제출원번호: PCT/JP2007/054206
공개일: 13.09.2007 국제출원일: 05.03.2007
IPC:
H01J 1/34 (2006.01) ,H01J 9/12 (2006.01) ,H01J 40/16 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
J
전자관 또는 방전램프
1
전자관 또는 방전램프의 2이상의 기본적인 형에 공통인 전극, 자기제어수단, 스크린 또는 그들의 마운트(mount) 또는 간격지지의 세부
02
주전극
34
광전자 방사 음극
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
J
전자관 또는 방전램프
9
전자관, 방전램프 또는 그 부품의 제조에 특히 적용되는 장치 또는 방법; 전자관(전자관)이나 방전램프 재료의 재생
02
전극 또는 전극시스템의 제조
12
광전자방사음극의 제조; 2차전자방사전극의 제조
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
J
전자관 또는 방전램프
40
가스의 전리를 포함하지 않은 광전관
16
광전자방출음극을 갖는 것, 예. 알칼리 광전지
출원인:
山下 真一 YAMASHITA, Shinichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
渡辺 宏之 WATANABE, Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
鈴木 秀明 SUZUKI, Hideaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
鈴木 健吾 SUZUKI, Kengo [JP/JP]; JP (UsOnly)
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 〒4358558 静岡県浜松市市野町1126番地の1 Shizuoka 1126-1, Ichino-cho, Hamamatsu-shi, Shizuoka4358558, JP (AllExceptUS)
발명자:
山下 真一 YAMASHITA, Shinichi; JP
渡辺 宏之 WATANABE, Hiroyuki; JP
鈴木 秀明 SUZUKI, Hideaki; JP
鈴木 健吾 SUZUKI, Kengo; JP
대리인:
長谷川 芳樹 HASEGAWA, Yoshiki; 〒1040061 東京都中央区銀座一丁目10番6号銀座ファーストビル 創英国際特許法律事務所 Tokyo SOEI PATENT AND LAW FIRM, Ginza First Bldg., 10-6Ginza 1-chome, Tokyo 1040061, JP
우선권 정보:
2006-06303108.03.2006JP
발명의 명칭: (EN) PHOTOELECTRIC SURFACE, ELECTRON TUBE COMPRISING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC SURFACE
(FR) SURFACE PHOTOELECTRIQUE, TUBE ELECTRONIQUE LA CONTENANT ET PROCEDE DE FABRICATION DE LADITE SURFACE PHOTOELECTRIQUE
(JA) 光電面、それを備える電子管及び光電面の製造方法
요약서:
(EN) Disclosed is a photoelectric surface wherein the quantum efficiency is improved. Specifically disclosed is a photoelectric surface (10) comprising a light transmissive substrate (12) composed of a quartz glass or a borosilicate glass, an intermediate layer (14) composed of hafnium oxide (HfO2), a foundation layer (16) composed of an oxide of manganese, magnesium or titanium, and a photoelectron-emitting layer (18) composed of a compound of an alkali metal and antimony. The intermediate layer composed of hafnium oxide prevents the alkali metal contained in the photoelectron-emitting layer from moving into the light transmissive substrate, thereby contributing to improvement of the quantum efficiency.
(FR) Surface photoélectrique dont on a amélioré le rendement quantique. L'invention concerne en particulier une surface photoélectrique (10) comprenant un substrat (12) transparent à la lumière composé de verre de quartz ou de verre borosilicate, une couche intermédiaire (14) composée d'oxyde d'hafnium (HfO2), une couche de base (16) composée d'un oxyde de manganèse, de magnésium ou de titane et une couche émettrice de photo-électrons (18) faite d'un composé d'un métal alcalin et d'antimoine. La couche intermédiaire composée d'oxyde d'hafnium empêche le métal alcalin contenu dans la couche émettrice de photo-électrons de se déplacer dans le substrat transparent à la lumière, contribuant ainsi à améliorer le rendement quantique.
(JA) not available
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아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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유럽 특허청(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)