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1. (WO2003007358) PLASMA REACTOR FOR MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENTS
국제사무국에 기록된 최신 서지정보   

공개번호: WO/2003/007358 국제출원번호: PCT/KR2002/001273
공개일: 23.01.2003 국제출원일: 05.07.2002
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
30
21/20~ 21/26에 분류되지 않은 방법이나 장비를 사용한 반도체본체의 처리
302
반도체표면의 물리적 성질 또는 그 형상의 변환, 예. 에칭(etching), 경면연마(polishing), 절단(cutting)
306
화학적 또는 전기적 처리. 예. 전해에칭
3065
플라스마(plasma) 에칭; 반응성 이온 에칭
H SECTION H — 전기
05
달리 분류되지 않는 전기기술
H
플라스마(Plasma) 기술; 가속된 하전입자 또는 중성자의 발생; 중성분자 또는 전자빔의 발생 또는 가속
1
플라스마의 생성; 플라스마 취급
24
플라스마의 발생
46
전자계를 사용하는 것, 예. 고주파 또는 마이크로파 에너지
출원인:
PARK, Hee-Kook [KR/KR]; KR (UsOnly)
ANS CO., LTD. [KR/KR]; 451-4, Mogok-Dong, Pyungtaek-City Kyunggi-Do 459-040, KR (AllExceptUS)
BAE, Kyung-Bin [KR/KR]; KR (AllExceptUS)
발명자:
PARK, Hee-Kook; KR
대리인:
CHUNG, Yeon, Yong; Hyundai Topics Bldg., 1203ho, Bangi-dong Songspa-gu Seoul 138-050, KR
우선권 정보:
2001/4078609.07.2001KR
발명의 명칭: (EN) PLASMA REACTOR FOR MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENTS
(FR) REACTEUR A PLASMA CONCU POUR LA PRODUCTION DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES
요약서:
(EN) Disclosed is a plasma reactor for etching the material, such as a semiconductor wafer, which is to solve the problem of unbalance of plasma ion density between a wafer's central part and its edge part. A plurality of coils in the present invention, each having a different polarity and being connected to the adjacent coil in series, form active electron layer that oscillate around the wafer edge with the very fast speed. And, the modified structure of gas injector enables mixed gas to spread fast. Therefore, this invention has advantages that the problem of unbalance of the wafer etching rate and plasma ion density between the wafer's central and edge part can be solved. Also, a magnetic coil array according to the present invention which can be run by AC or single power driver such as pulse signal. Therefore, a driver circuit becomes very simple.
(FR) L'invention concerne un réacteur à plasma servant à attaquer un matériau tel qu'une tranche de semi-conducteur, ce réacteur devant permettre de résoudre le problème du déséquilibre de la densité d'ions de plasma entre la partie centrale de la tranche et sa partie périphérique. Selon la présente invention, une pluralité de bobines, chacune possédant une polarité différente et étant reliée en série à la bobine adjacente, forme une couche d'électrons actifs qui oscillent autour des bords de ladite tranche à très grande vitesse. La structure modifiée de l'injecteur de gaz permet à des gaz mixtes d'être dispersés rapidement. Ainsi avec ladite invention le problème du déséquilibre du taux de gravure et de la densité des ions de plasma entre la partie centrale de la tranche et sa partie périphérique est résolu. En outre, un ensemble de bobines magnétiques peut être exciter par un seul signal d'attaque tel qu'un courant alternatif ou un signal à impulsions. Par conséquent, la structure d'un circuit d'attaque devient très simple.
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지정국: JP, US
유럽 특허청(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 한국어 (KO)