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1. (WO2002103767) EPITAXIAL SIO¿X? BARRIER/INSULATION LAYER______________________
국제사무국에 기록된 최신 서지정보   

공개번호: WO/2002/103767 국제출원번호: PCT/US2001/040970
공개일: 27.12.2002 국제출원일: 14.06.2001
국제예비심사 청구일: 08.01.2003
IPC:
H01L 21/762 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
70
하나의 공통기판상 또는 기판내에 형성된 복수의 고체구성부품 또는 집적회로로 이루어진 장치 그에 대한 특정부품의 제조 또는 처리; 집적회로장치 또는 그에 대한 특정부품의 제조.
71
그룹 H01L21/70에 분류된 장치의 특정부품의 제조
76
구성부품사이의 분리영역 형성
762
유전체(dielectric)영역
출원인:
WANG, Chia-Gee [US/US]; US (UsOnly)
TSU, Raphael [US/US]; US (UsOnly)
LOFGREN, John, Clay [US/US]; US (UsOnly)
NANODYNAMICS, INC. [US/US]; 510 E. 73rd Street New York, NY 10021, US (AllExceptUS)
발명자:
WANG, Chia-Gee; US
TSU, Raphael; US
LOFGREN, John, Clay; US
대리인:
HANDELMAN, Joseph, H. ; Ladas & Parry 26 West 61st Street New York, NY 10023, US
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) EPITAXIAL SIOX BARRIER/INSULATION LAYER______________________
(FR) COUCHE BARRIERE OU ISOLANTE EPITAXIALE EN SIOX
요약서:
(EN) A method for producing an insulating or barrier layer (Fig. 1B), useful for semiconductor devices, comprises depositing a layer of silicon and at least one additional element on a silicon substrate whereby said deposited layer is substantially free of defects such that epitaxial silicon substantially free of defects can be deposited on said deposited layer. Alternatively, a monolayer of one or more elements, preferably comprising oxygen, is absorbed on a silicon substrate. A plurality of insulating layers sandwiched between epitaxial silicon forms a barrier composite. Semiconductor devices are disclosed which comprise said barrier composite.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'une couche barrière ou isolante (fig. 1B), utile pour des dispositifs à semi-conducteurs. Le procédé consiste à déposer une couche de silicium et au moins un élément supplémentaire sur un substrat de silicium, ladite couche déposée étant sensiblement exempte de défauts afin qu'un silicium épitaxial sensiblement exempt de défauts puisse être déposé sur la couche déposée. Dans une autre forme de réalisation, une monocouche d'un ou de plusieurs éléments, de préférence comprenant oxygène, est absorbée sur un substrat de silicium. Plusieurs couches isolantes prises en sandwich entre un silicium épitaxial forment un composite barrière. L'invention concerne en outre des dispositifs à semi-conducteurs comprenant ce composite barrière.
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아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)