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1. (WO1999035611) SUPPORT ELEMENT FOR A SEMICONDUCTOR CHIP
국제사무국에 기록된 최신 서지정보   

공개번호: WO/1999/035611 국제출원번호: PCT/DE1998/003622
공개일: 15.07.1999 국제출원일: 09.12.1998
국제예비심사 청구일: 04.08.1999
IPC:
H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 23/495 (2006.01)
출원인: FISCHER, Jürgen[DE/DE]; DE (UsOnly)
PÜSCHNER, Frank[DE/DE]; DE (UsOnly)
HEITZER, Josef[DE/DE]; DE (UsOnly)
SEIDL, Annemarie[DE/DE]; DE (UsOnly)
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT[DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 D-80333 München, DE (AllExceptUS)
발명자: FISCHER, Jürgen; DE
PÜSCHNER, Frank; DE
HEITZER, Josef; DE
SEIDL, Annemarie; DE
일반
대표자:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34 D-80506 München, DE
우선권 정보:
198 00 646.209.01.1998DE
발명의 명칭: (EN) SUPPORT ELEMENT FOR A SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) ELEMENT SUPPORT POUR PUCE A SEMI-CONDUCTEUR
(DE) TRÄGERELEMENT FÜR EINEN HALBLEITERCHIP
요약서: front page image
(EN) The invention relates to a support element for a semiconductor chip (1), comprising contact tabs (2) punched out of a lead frame and a filling material (4) which is arranged on only one side of the contact tabs (2) and protects both the semiconductor chip (1) and the connecting lines (3) between the chip (1) and the contact tabs (2). Said filling material is linked to at least one of the contact tabs (2), notably by deformation of said contact pad. The deformation is embodied as a tongue (5) which is cut out of the contact pad (2) and is bent away from said contact pad (2) in a plastic manner. Plastic deformation can be replaced by bevelling of at least one of the edges (9) of the tongue facing away from the side of the contact pad (2) facing the filling material.
(FR) L'invention concerne un élément support pour puce à semi-conducteur (1), qui comprend une lamelle de contact (2) matricée à partir d'un cadre conducteur et une matière de remplissage (4) placée sur une face des plots de contact (2) et protégeant la puce à semi-conducteur (1) et les lignes de connexion (3), entre la puce (1) et les plots de contact (2). Cette matière de remplissage est liée à un des plots de contact (2), notamment par déformation dudit plot de contact. Cette déformation consiste en une languette (5) dégagée par découpage du plot de contact (2), et cintrée de manière plastique hors dudit plot de contact (2). La déformation plastique peut être remplacée par biseautage d'au moins une des arêtes (9) de la languette, opposée à la face de la matière de remplissage du plot de contact (2).
(DE) Trägerelement für einen Halbleiterchip (1), mit aus einem Leiterrahmen ausgestanzten Kontaktfahnen (2) und einem nur auf einer Seite der Kontaktfahnen (2) angeordneten, den Halbleiterchip (1) und die Verbindungsleitungen (3) zwischen dem Chip (1) und den Kontaktfahnen (2) schützenden Gussmasse (4), die insbesondere mittels einer Verformung zumindest einer der Kontaktfahnen (2) mit dieser verbunden ist. Die Verformung ist eine aus der Kontaktfahne (2) freigeschnittene, plastisch von der Kontaktfahne (2) weggebogene Zunge (5). Statt einer plastischen Verformung kann die zumindest eine der von der Gussmassenseite der Kontaktfahne (2) abgewandten Kanten (9) der Zunge angeschrägt sein.
지정국: BR, CN, IN, JP, KR, MX, RU, UA, US
유럽 특허청(EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
공개언어: 독일어 (DE)
출원언어: 독일어 (DE)