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1. (WO1998028745) NONVOLATILE WRITEABLE MEMORY WITH FAST PROGRAMMING CAPABILITY
국제사무국에 기록된 최신 서지정보

공개번호: WO/1998/028745 국제출원번호: PCT/US1997/019209
공개일: 02.07.1998 국제출원일: 23.10.1997
국제예비심사 청구일: 04.06.1998
IPC:
G11C 16/10 (2006.01) ,G11C 16/34 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
16
소거가능한 프로그램할 수 있는 읽기 전용메모리
02
전기적으로 프로그램할 수 있는 것
06
보조회로들, 예, 메모리에 쓰는 회로
10
프로그래밍 또는 데이터 입력회로
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
16
소거가능한 프로그램할 수 있는 읽기 전용메모리
02
전기적으로 프로그램할 수 있는 것
06
보조회로들, 예, 메모리에 쓰는 회로
34
프로그래밍 상태의 결정, 예. 문턱치 전압, 오버 프로그래밍 또는 언더프로그래밍, 보존
출원인:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052, US
발명자:
HURTER, Andrew, J.; US
DOLLER, Edward, M.; US
대리인:
TAYLOR, Edwin, H. ; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 7th floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025, US
우선권 정보:
08/770,39720.12.1996US
발명의 명칭: (EN) NONVOLATILE WRITEABLE MEMORY WITH FAST PROGRAMMING CAPABILITY
(FR) MEMOIRE INSCRIPTIBLE REMANENTE A CAPACITE DE PROGRAMMATION RAPIDE
요약서:
(EN) A method and apparatus provides capability for fast programming of a nonvolatile writeable memory. One or more memory cells of a block of memory cells of the nonvolatile writeable memory is programmed using no more than one program pulse. The memory cells of the block of memory cells having a threshold voltage in an intermediate region (62) below a programmed reference level (54) and above an erase reference level (50) are identified. These identified memory cells are programmed with one or more program pulses to raise the threshold voltage of the corresponding memory cell up to the programmed reference level (52).
(FR) Un procédé et un appareil présentent une capacité de programmation rapide d'une mémoire inscriptible rémanente. Une ou plusieurs cellules de mémoire d'un bloc de cellules de mémoire de la mémoireinscriptible rémanente est/sont programmé(es) par une seule impulsion de programme. Les cellules de mémoire du bloc de cellules de mémoire présentant une tension de seuil dans une région intermédiaire (62) inférieure à un niveau de référence programmé (54) et supérieur à un niveau de référence d'effacement (50) sont identifiées. Ces cellules de mémoire identifiées sont programmées avec une ou plusieurs impulsions de programme afin d'élever la tension de seuil de la cellule correspondante jusqu'au niveau de référence programmé (52).
지정국: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (GH, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)
또한로 출판 됨:
AU1997049966