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1. (WO1987007947) CAPACITANCE PRESSURE SENSOR
국제사무국에 기록된 최신 서지정보   

공개번호: WO/1987/007947 국제출원번호: PCT/US1987/001235
공개일: 30.12.1987 국제출원일: 29.05.1987
IPC:
G01L 9/00 (2006.01)
출원인: ROSEMOUNT INC.[US/US]; 12001 Technology Drive Eden Prairie, MN 55344, US
발명자: KNECHT, Thomas, A.; US
FRICK, Roger, L.; US
대리인: WESTMAN, Nickolas, E. @; Kinney & Lange Suite 1500 625 Fourth Avenue South Minneapolis, MN 55415, US
우선권 정보:
877,28123.06.1986US
발명의 명칭: (EN) CAPACITANCE PRESSURE SENSOR
(FR) DETECTEUR DE PRESSION CAPACITIF
요약서:
(EN) A capacitive pressure sensor (47, 75, 100, 130, 170, 190) that is fabricated in a batch process affords isolation for the sensing element (12, 102, 134, 183) and leads from the pressure media and provides stress isolation as well. The pressure sensor (47, 75, 100, 130, 170, 190) is made up of a sandwich construction including a silicon wafer (10) which is etched from one side to make cavities (14) in a plurality of desired locations to form deflecting diaphragms (12, 102, 134, 183), one surface of which acts as a capacitor plate. A glass layer (20) is metallized on both sides and has holes drilled in locations that align with the diaphragms formed on the silicon wafer (10). The glass layer (20) is anodically bonded to the wafer to form capacitance gap of a few microns relative to the one surface of each diaphragm (12, 102, 134, 183). The assembly of the metallized glass layer (20) and the silicon wafer (10) is in a preferred form sandwiched between two additional layers (30, 42, 154, 161, 163), and bonded together in a vacuum atmosphere. The four layer sandwich is then cut up into individual sensors (47, 75, 100, 130, 170, 190). The initial assembly can be formed to provide dampening of the diaphragm response times and to minimize the likelihood of false signals at high frequency inputs.
(FR) Un détecteur de pression capacitif (47, 75, 100, 130, 170, 190) fabriqué suivant un procédé en discontinu permet d'isoler l'élément de détection (12, 102, 134, 183) et les conducteurs par rapport au milieu de pression et est également isolé contre les contraintes. Le détecteur de pression (47, 75, 100, 130, 170, 190) est conçu suivant une construction en sandwich comprenant une tranche de silicium (10) qui est attaquée d'un côté pour former des cavités (14) en plusieurs endroits désirés de manière à constituer des diaphragmes déflecteurs (12, 102, 134, 183), dont une surface joue le rôle de plaque de condensateur. Une couche de verre (20) est métallisée sur les deux côtés et présente des trous percés dans des endroits qui sont alignés avec les diaphragmes formés sur la tranche de silicium (10). La couche de verre (20) est liée de manière anodique à la tranche de silicium pour former un entrefer capacitif de quelques microns par rapport à ladite surface de chaque diaphragme (12, 102, 134, 183). L'assemblage de la couche de verre métallisé (20) et de la tranche de silicium (10) est dans une forme préférée prise en sandwich entre deux couches supplémentaires (30, 42, 154, 161, 163), et sont liées ensemble dans le vide. Le sandwich à quatre couches est ensuite découpé en plusieurs détecteurs individuels (47, 75, 100, 130, 170, 190). L'ensemble initial peut être formé pour atténuer les temps de réponse des diaphragmes et réduire au minimum les risques de faux signaux au niveau d'entrées de haute fréquence.
지정국: BR, JP
유럽 특허청(EPO) (DE, FR, GB, IT, SE)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)