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1. (US20090066439) Input circuitry for transistor power amplifier and method for designing such circuitry

특허청 : 미국
출원번호: 11851425 출원일: 07.09.2007
공개번호: 20090066439 공개일: 12.03.2009
특허번호: 7609115 특허부여일: 27.10.2009
공개유형: B2
IPC:
H03F 3/189
H03F 3/191
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
F
증폭기
3
증폭소자로써 전자관만 또는 반도체장치만이 있는 증폭기
189
고주파증폭기, 예. 무선주파증폭기
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
F
증폭기
3
증폭소자로써 전자관만 또는 반도체장치만이 있는 증폭기
189
고주파증폭기, 예. 무선주파증폭기
19
반도체장치만이 있는 것
191
동조증폭기
출원인: Raytheon Company
발명자: Whelan Colin S.
Tremblay John C.
대리인: Daly, Crowley, Mofford &; Durkee, LLP
우선권 정보
발명의 명칭: (EN) Input circuitry for transistor power amplifier and method for designing such circuitry
요약서: front page image
(EN)

A circuit having: an input matching network; a transistor coupled to an output of the input matching network; and wherein the input matching network has a first input impedance when such input matching network is fed with an input signal having a relatively low power level and wherein the input matching network has an input impedance different from the first input impedance when such input matching network is fed with an input signal having a relatively high power level.