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1. (US20140355337) Method of pinning domain walls in a nanowire magnetic memory device

특허청 : 미국
출원번호: 14350434 출원일: 08.10.2012
공개번호: 20140355337 공개일: 04.12.2014
특허번호: 09293184 특허부여일: 22.03.2016
공개유형: B2
PCT 참조번호: 출원번호: PCTGB2012052493; 공개번호: 자료를 보려면 여기를 클릭하십시오
IPC:
G11C 19/00
G11C 19/02
G11C 7/00
G11C 11/00
G11C 5/02
G11C 19/38
G11C 11/16
G11C 11/14
H04L 12/26
G11C 19/08
G11C 14/00
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
19
정보가 스텝(step) 형식으로 이동하는 디지털 기억장치, 예. 쉬프트 레지스터(shift register)
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
19
정보가 스텝(step) 형식으로 이동하는 디지털 기억장치, 예. 쉬프트 레지스터(shift register)
02
자기소자를 사용하는 것
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
7
디지털 기억장치에 정보를 써넣거나 또는 디지털 기억장치로부터 정보를 판독하는 장치
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
11
특정의 전기적 또는 자기적 기억소자의 사용에 따라 특징지워지는 디지털 기억장치; 그를 위한 기억소자
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
5
11/00으로 분류되는 기억장치의 세부
02
기억소자의 배치, 예. 매트릭스(matrix) 배열에 있어서의 것
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
19
정보가 스텝(step) 형식으로 이동하는 디지털 기억장치, 예. 쉬프트 레지스터(shift register)
38
이차원적, 즉 수평과 수직 레지스터
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
11
특정의 전기적 또는 자기적 기억소자의 사용에 따라 특징지워지는 디지털 기억장치; 그를 위한 기억소자
02
자기적 소자를 사용하는 것
16
기억작용이 자기적 스핀(spin) 효과에 기초를 둔 소자를 사용하는 것
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
11
특정의 전기적 또는 자기적 기억소자의 사용에 따라 특징지워지는 디지털 기억장치; 그를 위한 기억소자
02
자기적 소자를 사용하는 것
14
박막소자를 사용하는 것
H SECTION H — 전기
04
전기통신기술
L
디지털 정보의 전송, 예. 전신통신
12
데이터 스위칭 네트웍
02
세부
26
감시장치; 시험장치
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
19
정보가 스텝(step) 형식으로 이동하는 디지털 기억장치, 예. 쉬프트 레지스터(shift register)
02
자기소자를 사용하는 것
08
평판구조에서 박막을 사용하는 것
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
14
전력이 감소될 때 백업(back-up)을 하기 위해 휘발성 그리고 비휘발성 속성를 가지는 셀의 배열에 의해 특징지워지는 디지털 기억
출원인: University of York
발명자: Kevin O'Grady
Gonzalo Vallejo Fernandez
Atsufumi Hirohata
대리인: DASCENZO Intellectual Property Law, P.C.
우선권 정보 1117446.3 10.10.2011 GB
발명의 명칭: (EN) Method of pinning domain walls in a nanowire magnetic memory device
요약서: front page image
(EN)

There is provided a method of pinning domain walls in a magnetic memory device (10) comprising using an antiferromagnetic material to create domain wall pinning sites. Junctions (22) where arrays of ferromagnetic nanowires (16) and antiferromagnetic nanowires (20) cross exhibit a permanent exchange bias interaction between the ferromagnetic material and the antiferromagnetic material which creates domain wall pinning sites. The exchange bias field is between 30 to 3600 Oe and the anisotropy direction of the ferromagnetic elements is between 15 to 75° to an anisotropy direction of the antiferromagnetic elements.