이 애플리케이션의 일부 콘텐츠는 현재 사용할 수 없습니다.
이 상황이 계속되면 다음 주소로 문의하십시오피드백 및 연락
1. (IN887/KOLNP/2010) INPUT CIRCUITRY FOR TRANSISTOR POWER AMPLIFIER AND METHOD FOR DESIGNING SUCH CIRCUITRY

특허청 : 인도
출원번호: 887/KOLNP/2010 출원일: 09.03.2010
공개번호: 887/KOLNP/2010 공개일: 18.06.2010
특허번호: 309588 특허부여일: 20.03.2019
공개유형: B
PCT 참조번호: 출원번호: PCTUS2008070622; 공개번호: PCTUS2008070622 자료를 보려면 여기를 클릭하십시오
IPC:
H03F 1/56
H03F 3/19
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
F
증폭기
1
증폭소자로서 전자관만을, 반도체 장치만을 또는 범용소자만을 사용한 증폭기의 세부
56
달리 분류되지 않는, 입력임피던스 또는 출력임피던스의 변형
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
F
증폭기
3
증폭소자로써 전자관만 또는 반도체장치만이 있는 증폭기
189
고주파증폭기, 예. 무선주파증폭기
19
반도체장치만이 있는 것
출원인: RAYTHEON COMPANY
발명자: TREMBLAY, JOHN, C.
WHELAN, COLIN S.
우선권 정보 11/851,425 07.09.2007 US
발명의 명칭: (EN) INPUT CIRCUITRY FOR TRANSISTOR POWER AMPLIFIER AND METHOD FOR DESIGNING SUCH CIRCUITRY
요약서:
(EN) A circuit having: an input matching network, a transistor (14) coupled to an output of the input matching network;and wherein the input matching network (12) has a first input impedance when such input matching network (12) is fed with an inputsignal having a relatively low power level and wherein the input matching network (12) has an input impedance different from thefirst input impedance when such input matching network (12) is fed with an input signal having a relatively high power level.
또한로 출판 됨:
KR1020100063767EP2203974CN101796720WO/2009/035767