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1. (EP2203974) INPUT CIRCUITRY FOR TRANSISTOR POWER AMPLIFIER AND METHOD FOR DESIGNING SUCH CIRCUITRY

특허청 : 유럽 특허청(EPO)
출원번호: 08796359 출원일: 21.07.2008
공개번호: 2203974 공개일: 07.07.2010
공개유형: B1
지정국: AL, AT, BA, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LI, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, TR
PCT 참조번호: 출원번호: US2008070622; 공개번호: 자료를 보려면 여기를 클릭하십시오
IPC:
H03F 1/56
H03F 3/19
H03F 3/193
H03H 7/38
H03H 11/28
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
F
증폭기
1
증폭소자로서 전자관만을, 반도체 장치만을 또는 범용소자만을 사용한 증폭기의 세부
56
달리 분류되지 않는, 입력임피던스 또는 출력임피던스의 변형
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
F
증폭기
3
증폭소자로써 전자관만 또는 반도체장치만이 있는 증폭기
189
고주파증폭기, 예. 무선주파증폭기
19
반도체장치만이 있는 것
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
F
증폭기
3
증폭소자로써 전자관만 또는 반도체장치만이 있는 증폭기
189
고주파증폭기, 예. 무선주파증폭기
19
반도체장치만이 있는 것
193
전계효과 장치가 있는 것
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
H
임피던스회로망, 예. 공진회로; 공진기
7
회로망의 부품으로서 수동적 전기소자만을 포함하는 다단자 회로망
38
임피던스 정합 회로망
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
H
임피던스회로망, 예. 공진회로; 공진기
11
능동소자를 사용하는 회로망
02
다단자 회로망
28
임피던스 정합 회로망
CPC:
H03F 1/565
H03F 3/1935
H03F 2200/222
H03F 2200/228
H03F 2200/249
H03F 2200/252
H03F 2200/451
H03F 2200/99
H03H 7/38
출원인: RAYTHEON CO
발명자: TREMBLAY JOHN C
WHELAN COLIN S
MALLAVARPU RAGHU
TYNACH MATTHEW
우선권 정보 2008070622 21.07.2008 US
85142507 07.09.2007 US
발명의 명칭: (DE) EINGANGSSCHALTKREISE FÜR EINEN TRANSISTORLEISTUNGSVERSTÄRKER UND VERFAHREN ZUM ENTWURF SOLCHER SCHALTKREISE
(EN) INPUT CIRCUITRY FOR TRANSISTOR POWER AMPLIFIER AND METHOD FOR DESIGNING SUCH CIRCUITRY
(FR) CIRCUIT D'ENTRÉE POUR UN AMPLIFICATEUR ET PROCÉDÉ DE CONCEPTION ASSOCIÉ
요약서: front page image
(EN) A circuit having: an input matching network, a transistor (14) coupled to an output of the input matching network; and wherein the input matching network (12) has a first input impedance when such input matching network (12) is fed with an input signal having a relatively low power level and wherein the input matching network (12) has an input impedance different from the first input impedance when such input matching network (12) is fed with an input signal having a relatively high power level.
(FR) L'invention concerne un circuit comprenant: un réseau d'adaptation d'entrée, un transistor (14) couplé à une sortie du réseau d'adaptation d'entrée; et le réseau d'adaptation d'entrée (12) présentant une première impédance d'entrée, lorsque celui-ci est alimenté par un signal d'entrée présentant un faible niveau de puissance. Le réseau d'adaptation d'entrée (12) présente une impédance d'entrée différente de la première impédance d'entrée, lorsqu'il est alimenté par un signal présentant un niveau de puissance relativement élevé.
또한로 출판 됨:
KR1020100063767CN101796720IN887/KOLNP/2010WO/2009/035767