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1. (DE112011105945) Gruppe III-N Nanodraht-Transistoren

특허청 : 독일
출원번호: 112011105945 출원일:
공개번호: 112011105945 공개일: 25.09.2014
공개유형: T5
PCT 참조번호: 출원번호: PCTUS2011065919; 공개번호: WO2013095343 자료를 보려면 여기를 클릭하십시오
IPC:
H01L 29/41
H01L 21/336
H01L 29/78
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
40
전극(Electrodes)
41
그들의 형상, 상대적 크기 또는 배치에 특징이 있는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
334
유니폴라(unipolar)형 장치를 제조하기 위한 다단계공정
335
전계효과 트랜지스터(FET)
336
절연게이트를 갖는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
68
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르지 않는 하나의 전극에 단지 전위를 부여하거나, 단지 전류을 제공하는 것만으로 제어되는 것
76
유니폴라(unipolar) 장치
772
전계 효과 트랜지스터
78
절연된 게이트에 의해 발생되는 전계효과를 갖는 것
CPC:
H01L 29/158
B82Y 10/00
H01L 21/02603
H01L 23/66
H01L 27/0605
H01L 27/0886
H01L 29/045
H01L 29/0669
H01L 29/0673
H01L 29/0676
H01L 29/068
H01L 29/2003
H01L 29/205
H01L 29/42392
H01L 29/66431
H01L 29/66462
H01L 29/66469
H01L 29/66522
H01L 29/66742
H01L 29/775
H01L 29/778
H01L 29/7786
H01L 29/785
H01L 29/78618
H01L 29/78681
H01L 29/78696
H01L2223/6677
Y10S 977/938
출원인: Intel Corporation
발명자: Then Han Wui
Chau Robert
Chu-Kung Benjamin
Kavalieros Jack
Metz Matthew V.
Mukherjee Niloy
Radosavljevic Marko
Dewey Gilbert
Pillarisetty Ravi
대리인: BOEHMERT & BOEHMERT Anwaltspartnerschaft mbB - Patentanwälte Rechtsanwälte
우선권 정보
발명의 명칭: (DE) Gruppe III-N Nanodraht-Transistoren
요약서: front page image
(DE)

Ein Gruppe III-N-Nanodraht ist auf einem Substrat angeordnet. Eine Längsrichtung des Nanodrahts ist in einer Kanalregion eines ersten Gruppe III-N-Materials definiert, eine Quellenregion ist elektrisch mit einem ersten Ende der Kanalregion gekoppelt, und eine Senkenregion ist elektrisch mit einem zweiten Ende der Kanalregion gekoppelt. Ein zweites Gruppe III-N-Material auf dem ersten Gruppe III-Material dient als ladungsinduzierende Schicht und/oder Barriereschicht auf Flächen des Nanodrahts. Ein Gate-Isolator und/oder Gate-Leiter sind koaxial komplett um den Nanodraht in der Kanalregion gewickelt. Senken- und Quellenkontakte können in ähnlicher Weise komplett um die Senken- und Quellenregionen gewickelt sein.


또한로 출판 됨:
US20130279145CN104011868WO/2013/095343