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1. CN107636194 - SPUTTERING TARGET ASSEMBLY

특허청 중국
출원번호 201680031260.2
출원일 02.05.2016
공개번호 107636194
공개일 26.01.2018
문헌종류 A
IPC
C SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
14
피복형성재료의 진공증착, 스퍼터링, 또는 이온주입에 의한 피복
22
.피복공정에 특징이 있는 것
34
스퍼터링
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
20
기판상에 반도체 물질의 증착. 예, 에피택셜 (epitaxial) 성장
203
물리적 증착을 이용하는 것, 예. 진공증착, 스퍼터링(sputtering)
C23C 14/34
H01L 21/203
CPC
C23C 14/34
H01L 21/203
출원인 KOBELCO RES INSTITUTE INC.
발명자 TAKAGI KATSUTOSHI
KANAMARU MORIYOSHI
HIROSE KENTA
IWASAKI YUKI
우선권 정보 2015130969 30.06.2015 JP
발명의 명칭
(EN) SPUTTERING TARGET ASSEMBLY
(ZH) 溅射靶材组装体
요약서
(EN)
Provided is a sputtering target assembly that includes a plurality of mounting sections which are disposed on a backing plate, which are disposed with a gap therebetween, and on each of which one or more sputtering target members are disposed via a bonding material. The sputtering target assembly has a Ni base material coating in gaps between the adjacent mounting sections.

(ZH)
本发明为一种溅射靶材组装体,其含有多个载置部,所述多个载置部是配置于底板上,且彼此空开间隔而配置,在各载置部上经由接合材料而配置有一个以上的溅射靶材构件,并且在相邻的所述载置部之间的间隙部中具有Ni基材料的涂层。

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