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1. (JP2015144312) SEMICONDUCTOR DEVICE

특허청 : 일본
출원번호: 2015077468 출원일: 06.04.2015
공개번호: 2015144312 공개일: 06.08.2015
특허번호: 5961302 특허부여일: 01.07.2016
공개유형: B2
IPC:
G02F 1/1368
H01L 29/786
G SECTION G — 물리학
02
광학
F
광의 강도, 색, 위상, 편광 또는 방향의 제어를 위한 장치 또는 배치, 예. 스위칭, 게이팅, 변조 또는 복조, 의 매체의 광학적성질이 변화에 의하여 광학적 작용이 변화하는 장치 또는 배치; 그와 같은 동작을 위한 기술 또는 처리; 주파수변환; 비선형 광학; 광학적 논리소자; 광학적 아날로그/디지털 변환기
1
독립된 광원으로부터 도달한 광의 강도, 색, 위상, 편광 또는 방향의 제어를 위한 장치 또는 배치, 예. 스위칭, 게이팅 또는 변조 비선형 광학
01
강도, 위상, 편광 또는 색의 제어를 위한 것
13
액정에 기초한 것, 예. 하나의 액정 표시 셀
133
구조배치 ; 액정셀의 작동 ; 회로배치
136
반도체층 또는 기판과 구조적으로 결합된 액정셀, 예. 집적회로의 일부를 구성하는 셀
1362
능동매트릭스 어드레스 셀(active matrix addressed cells)
1368
스위칭 소자가 3단자 장치인 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
68
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르지 않는 하나의 전극에 단지 전위를 부여하거나, 단지 전류을 제공하는 것만으로 제어되는 것
76
유니폴라(unipolar) 장치
772
전계 효과 트랜지스터
78
절연된 게이트에 의해 발생되는 전계효과를 갖는 것
786
박막트랜지스터(thin-film transistors)
출원인: 株式会社半導体エネルギー研究所
발명자: 本田 達也
우선권 정보 2005300825 14.10.2005 JP
발명의 명칭: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(JA) 半導体装置
요약서:
(EN) PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a semiconductor device which reduces contact resistance between a semiconductor film and an electrode or wiring, improves the coverage factor between the semiconductor film and the electrode or the wiring, and improves the characteristics.

SOLUTION: A semiconductor device includes: a gate electrode located on a substrate; a gate insulation film located on the gate electrode; a first source electrode or a first drain electrode, located on the gate insulation film; an island-shaped semiconductor film located on the first source electrode or the first drain electrode; and a second source electrode or a second drain electrode, located on the island-shaped semiconductor film and the first source electrode or the first drain electrode. The second source electrode or the second drain electrode is in contact with the first source electrode or the first drain electrode. The first source electrode or the first drain electrode and the second source electrode or the second drain electrode hold the island-shaped semiconductor film therebetween. This invention relates to the semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device.

COPYRIGHT: (C)2015,JPO&INPIT
(JA)

【課題】半導体膜と電極又は配線との接触抵抗を低減し、かつ半導体膜と電極又は配線と
の被覆率を改善し、特性を向上させた半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板上にゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶
縁膜上に第1のソース電極又はドレイン電極と、前記第1のソース電極又はドレイン電極
上に島状半導体膜と、前記島状半導体膜及び前記第1のソース電極又はドレイン電極上に
第2のソース電極又はドレイン電極とを有し、前記第2のソース電極又はドレイン電極は
前記第1のソース電極又はドレイン電極と接触しており、前記第1のソース電極又はドレ
イン電極及び第2のソース電極又はドレイン電極が前記島状半導体膜を挟みこんでいる半
導体装置及びその作製方法に関するものである。
【選択図】図1


또한로 출판 됨:
EP1935027JP2007134687US20070087487JP2013016861CN101278403JP2014103418
WO/2007/043493