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1. (WO2018029419) METHOD FOR TRANSFERRING A USEFUL LAYER
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/029419 국제출원번호: PCT/FR2017/052161
공개일: 15.02.2018 국제출원일: 01.08.2017
IPC:
H01L 21/762 (2006.01)
출원인: SOITEC[FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques 38190 BERNIN, FR
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES[FR/FR]; 25 rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" 75015 PARIS, FR
발명자: LANDRU, Didier; FR
BEN MOHAMED, Nadia; FR
KONONCHUK, Oleg; FR
MAZEN, Frédéric; FR
MASSY, Damien; FR
REBOH, Shay; FR
RIEUTORD, François; FR
대리인: BREESE, Pierre; FR
우선권 정보:
165772211.08.2016FR
발명의 명칭: (EN) METHOD FOR TRANSFERRING A USEFUL LAYER
(FR) PROCEDE DE TRANSFERT D'UNE COUCHE UTILE
요약서: front page image
(EN) The invention relates to a method for transferring a useful layer (3) onto a support (4), comprising steps of forming a fragilisation plane (2) by implanting light species in a first substrate (1), so as to form a useful layer (3) between this plane and a surface of the first substrate (1); applying the support (4) onto the surface of the first substrate (1) in order to form an assembly (5) to be fractured; fragilisation heat treating the assembly (5) to be fractured; and initiating and propagating a fracture wave in the first substrate (1) along the fragilisation plane (3). According to the invention, the initiation of the fracture wave is located in a central zone of the fragilisation plane (2) and the propagation speed of this wave is controlled in order to have sufficient speed. In this way, the interactions of the fracture wave with acoustic vibrations emitted during its initiation and/or its propagation are limited to a peripheral zone of the useful layer (3).
(FR) L'invention porte sur un procédé de transfert d'une couche utile (3) sur un support (4) comprenant les étapes de formation d'un plan de fragilisation (2) par implantation d'espèces légères dans un premier substrat (1), de manière à former une couche utile (3) entre ce plan et une surface du premier substrat (1); d'application du support (4) sur la surface du premier substrat (1) pour former un ensemble à fracturer (5); de traitement thermique de fragilisation de l'ensemble à fracturer (5); et d'initiation et propagation d'une onde de fracture dans le premier substrat (1) le long du plan de fragilisation (3). Selon l'invention, l'initiation de l'onde de fracture est située dans une zone centrale du plan de fragilisation (2) et la vitesse de propagation de cette onde est contrôlée pour présenter une vitesse suffisante. De la sorte, les interactions de l'onde de fracture avec des vibrations acoustiques émises lors de son initiation et/ou de sa propagation sont limitées à une zone périphérique de la couche utile (3).
지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 프랑스어 (FR)
출원언어: 프랑스어 (FR)