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1. (WO2016139708) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND DISPLAY DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보   

공개번호: WO/2016/139708 국제출원번호: PCT/JP2015/006473
공개일: 09.09.2016 국제출원일: 25.12.2015
IPC:
H01L 33/38 (2010.01) ,H01L 33/14 (2010.01) ,H01L 33/20 (2010.01)
출원인: SONY CORPORATION[JP/JP]; 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
발명자: WATANABE, Yoshiaki; JP
KAWASUMI, Takayuki; JP
대리인: OMORI, Junichi; JP
우선권 정보:
2015-04157003.03.2015JP
발명의 명칭: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND DISPLAY DEVICE
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 半導体発光素子および表示装置
요약서: front page image
(EN) In this semiconductor light emitting element provided with a light exit end and an opposite end thereto, a first conductive layer has a current constriction structure that is formed so as to constrict a current injection region. The lengthwise direction of the current constriction structure is provided along one direction from the opposite end to the light exit end. An active layer is provided between the first conductive layer and a second conductive layer. A first electrode layer and a second electrode layer are respectively in contact with the first conductive layer and the second conductive layer. The current constriction structure has a widening region. The widening region is provided such that, in a direction along the surface of the first conductive layer, the width of the current constriction structure spreads out as the light exit end is approached in one direction from a predetermined location. The first electrode layer has an electrode region. The electrode region is provided at least on the widening region so as to comprise a width in a direction along the surface of the first conductive layer which is narrower than the width of the widening region.
(FR) L’invention porte sur un élément électroluminescent à semi-conducteur pourvu d'une extrémité de sortie de lumière et d'une extrémité opposée à celle-ci, une première couche conductrice ayant une structure de constriction de courant qui est constituée de manière à étrangler une région d'injection de courant. Le sens de la longueur de la structure de constriction de courant est réglé pour être le long d'une direction allant de l'extrémité opposée à l'extrémité de sortie de lumière. Une couche active est disposée entre la première couche conductrice et une seconde couche conductrice. Une première couche d'électrode et une seconde couche d'électrode sont respectivement en contact avec la première couche conductrice et la seconde couche conductrice. La structure de constriction de courant a une région d'élargissement. La région d'élargissement est disposée de telle manière que, dans une direction le long de la surface de la première couche conductrice, la largeur de la structure de constriction de courant s'étale à mesure que l'extrémité de sortie de lumière est approchée dans une direction en provenance d'un emplacement prédéterminé. La première couche d'électrode a une région d'électrode. La région d'électrode est disposée au moins sur la région d'élargissement de manière à comprendre une largeur dans la direction le long de la surface de la première couche conductrice qui est plus étroite que la largeur de la région d'élargissement.
(JA) 【解決手段】光出射端と、その反対端とを備える半導体発光素子の第1導電型層は、電流の注入領域が狭窄するように構成された電流狭窄構造を有する。電流狭窄構造の長手方向が反対端から光出射端への一方向に沿って設けられる。活性層は、第1導電型層および第2導電型層の間に設けられている。第1電極層および第2電極層は、第1導電型層および第2導電型層にそれぞれ接触している。電流狭窄構造は、広がり領域を有する。広がり領域は、第1導電型層の表面に沿う方向における電流狭窄構造の幅が、所定の位置から一方向において光出射端に向かうにしたがって広がるように設けられている。第1電極層は、電極領域を有する。電極領域は、第1導電型層の表面に沿う方向の幅が、広がり領域の幅より狭い幅でなるように、少なくとも広がり領域上に設けられている。
지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)