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1. (WO2008062496) CERAMIC MEMBER, METHOD OF FORMING GROOVE IN CERAMIC MEMBER, AND SUBSTRATE FOR ELECTRONIC PART
국제사무국에 기록된 최신 서지정보   

공개번호:    WO/2008/062496    국제출원번호:    PCT/JP2006/321800
공개일: 29.05.2008 국제출원일: 31.10.2006
IPC:
H05K 3/00 (2006.01), H05K 1/02 (2006.01), H05K 1/03 (2006.01)
출원인: KYOCERA Corporation [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP) (For All Designated States Except US).
MATSUSAKI, Takahiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
발명자: MATSUSAKI, Takahiro; (JP)
대리인: SHIOTANI, Takashi; 1-10-7-401, Shinmachi Nishi-ku, Osaka-shi Osaka 5500013 (JP)
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) CERAMIC MEMBER, METHOD OF FORMING GROOVE IN CERAMIC MEMBER, AND SUBSTRATE FOR ELECTRONIC PART
(FR) ÉLÉMENT CÉRAMIQUE, PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE RAINURE DANS UN ÉLÉMENT CÉRAMIQUE ET SUBSTRAT POUR UNE PARTIE ÉLECTRONIQUE
(JA) セラミック部材、セラミック部材への溝の形成方法、および電子部品用基板
요약서: front page image
(EN)A ceramic member (1) having grooves (2). In the ceramic member (1), the region at least ranging from 1 µm to 10 µm in terms of normal-direction depth from the surface (21) of each groove (2) has a higher silica or yttria content than the region ranging from 60 µm to 70 µm in terms of normal-direction depth from the surface (21) of the groove (2). When that region at least ranging from 1 µm to 10 µm in terms of normal-direction depth from the surface (21) of each groove (2) is referred to as a surface layer (20), the silica or yttria content in the surface layer (20) is preferably 1.2 to 1.6 times the average content of silica or yttria in the region ranging from 60 µm to 70 µm in terms of normal-direction depth from the surface (21) of the groove (2).
(FR)L'invention concerne un élément céramique (1) muni de rainures (2). Dans l'élément céramique (1), la zone se situant au moins dans la plage de 1 µm à 10 µm en termes de profondeur dans la direction normale à partir de la surface (21) de chaque rainure (2) présente une teneur en oxyde de silicium ou d'yttrium supérieure à la région se situant dans la plage de 60 µm à 70 µm en termes de profondeur dans la direction normale à partir de la surface (21) de la rainure (2). Lorsque cette zone se situant au moins dans la plage de 1 µm à 10 µm en termes de profondeur dans la direction normale à partir de la surface(21) de chaque rainure (2) est appelée couche de surface (20), la teneur en oxyde de silicium ou d'yttrium dans la couche de surface (20) est de préférence 1,2 à 1,6 fois la teneur moyenne d'oxyde de silicium ou d'yttrium dans la zone se situant dans la plage de 60 µm à 70 µm en termes de profondeur dans la direction normale à partir de la surface (21) de la rainure (2).
(JA) 本発明は、溝2を有するセラミック部材1に関する。セラミック部材1は、溝2の表面21からの法線方向における少なくとも1μm以上10μm以下までの領域が、溝2の表面21からの法線方向の60μm以上70μm以下までの領域よりも、シリカまたはイットリアの含有率が高いものである。溝2の表面21からの法線方向における少なくとも1μm以上10μm以下までの領域を少なくとも表層20としたとき、表層20におけるシリカまたはイットリアの含有率は、溝2の表面21からの法線方向の60μm以上70μm以下までの領域でのシリカまたはイットリアの平均含有率に対して、1.2倍以上1.6倍以下であるのが好ましい。  
지정국: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
공개언어: Japanese (JA)
출원언어: Japanese (JA)