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1. US5171703 - Device and substrate orientation for defect reduction and transistor length and width increase

官庁
アメリカ合衆国
出願番号 07749210
出願日 23.08.1991
公開番号 5171703
公開日 15.12.1992
特許番号 5171703
特許付与日 15.12.1992
公報種別 A
IPC
H01L 21/02
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
H01L 21/304
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 29/02
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
02半導体本体
H01L 29/04
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
02半導体本体
04半導体本体の結晶構造,例.多結晶,立方晶系または特定な結晶面の方向,に特徴のあるもの
CPC
H01L 29/045
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
04characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
045by their particular orientation of crystalline planes
Y10S 148/115
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
148Metal treatment
115Orientation
出願人 Intel Corporation
発明者 Lin Yi-Ching
Dun Haiping
Giridhar Ragupathy V.
代理人 Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman
発明の名称
(EN) Device and substrate orientation for defect reduction and transistor length and width increase
要約
(EN)

Methods of forming a semiconductor substrate and a device oriented substantially along a crystal direction other than a crystal direction that falls along a cleavage plane and the substrate and device formed by each method are disclosed. An ingot of monocrystalline material is formed and marked to denote a crystal direction other than a crystal direction that falls along a cleavage plane. The ingot is lapped to form a semiconductor substrate having a mark denoting a crystal direction other than a crystal direction that falls along a cleavage plane. A device is formed on the semiconductor substrate having a monocrystalline layer, such that a field oxide-active area edge or a gate electrode lies substantially along a crystal direction other than a crystal direction that falls along a cleavage plane. The present invention may be used on any device where dislocation defects, a lateral diffusion, or a lateral oxidation is to be minimized.

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