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1. (US20120104508) Semiconductor structure and method for manufacturing the same

官庁 : アメリカ合衆国
出願番号: 13256866 出願日: 25.02.2011
公開番号: 20120104508 公開日: 03.05.2012
特許番号: 08766371 特許付与日: 01.07.2014
公報種別: B2
PCT 関連事項: 出願番号:PCTCN2011071318 ; 公開番号: クリックしてデータを表示
IPC:
H01L 21/70
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
出願人: Zhu Huilong
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences
Liang Qingqing
Luo Zhijiong
Yin Haizhou
発明者: Zhu Huilong
Liang Qingqing
Luo Zhijiong
Yin Haizhou
代理人: Troutman Sanders LLP
優先権情報: 2010 1 0215163 22.06.2010 CN
発明の名称: (EN) Semiconductor structure and method for manufacturing the same
要約: front page image
(EN)

There is provided a semiconductor structure and a method for manufacturing the same. The semiconductor structure according to the present invention comprises: a semiconductor substrate; a channel region formed on the semiconductor substrate; a gate stack formed on the channel region; and source/drain regions formed on both sides of the channel region and embedded in the semiconductor substrate. The gate stack comprises: a gate dielectric layer formed on the channel region; and a conductive layer positioned on the gate dielectric layer. For an nMOSFET, the conductive layer has a compressive stress to apply a tensile stress to the channel region; and for a pMOSFET, the conductive layer has a tensile stress to apply a compressive stress to the channel region.


また、:
WO/2011/160463