このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (US20110318857) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

官庁 : アメリカ合衆国
出願番号: 13219118 出願日: 26.08.2011
公開番号: 20110318857 公開日: 29.12.2011
特許番号: 09343622 特許付与日: 17.05.2016
公報種別: B2
IPC:
H01L 33/12
H01L 33/00
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
12
応力緩和構造を有するもの,例.バッファ層
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
出願人: Suk Hun Lee
LG INNOTEK CO., LTD.
発明者: Suk Hun Lee
代理人: Saliwanchik, Lloyd & Eisenschenk
優先権情報: 10-2004-0111085 23.12.2004 KR
発明の名称: (EN) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
要約: front page image
(EN)

Provided is a nitride semiconductor light emitting device including: a substrate; a first buffer layer formed above the substrate; an indium-containing second buffer layer formed above the first buffer layer; an indium-containing third buffer layer formed above the second buffer layer; a first nitride semiconductor layer formed above the third buffer layer; an active layer formed above the first nitride semiconductor layer; and a second nitride semiconductor layer formed above the active layer. According to the present invention, the crystal defects are further suppressed, so that the crystallinity of the active layer is enhanced, and the optical power and the operation reliability are enhanced.


また、:
EP1829122JP2008526012US20080142781CN101073161IN772/MUMNP/2007WO/2006/068374