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国際・国内特許データベース検索
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1. (US20050122822) Random access memory with optional inaccessible memory cells

官庁 : アメリカ合衆国
出願番号: 10727406 出願日: 04.12.2003
公開番号: 20050122822 公開日: 09.06.2005
特許番号: 6956786 特許付与日: 18.10.2005
公報種別: B2
IPC:
G11C 8/00
G11C 29/00
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
8
デジタル記憶装置のアドレスを選択する機構
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
29
正確な動作のための記憶装置のチェック;スタンバイまたはオフライン動作中の記憶装置のテスト
CPC:
G11C 29/883
G11C 11/401
G11C 29/816
G11C 29/88
出願人: Infineon Technologies North America Corp.
発明者: Partsch Torsten
Le Thoai Thai
代理人: Dicke, Billig & Czaja, P.L.L.C.
優先権情報: 10727406 04.12.2003 US
発明の名称: (EN) Random access memory with optional inaccessible memory cells
要約: front page image
(EN)

A random access memory comprises a plurality of data pads and an array of memory cells comprising a first portion of memory cells and a second portion of memory cells. The random access memory comprises a first line configured to receive first data signals between the first portion of memory cells and the data pads and a second line configured to receive second data signals between the second portion of memory cells and the data pads. The first portion of memory cells is configured to be made inaccessible to eliminate the first data signals and a first number of the data pads and the second portion of memory cells is configured to be made inaccessible to eliminate the second data signals and a second number of the data pads.