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1. KR1020130092401 - 웨이퍼의 모따기 장치

官庁
大韓民国
出願番号 1020127029505
出願日 28.02.2011
公開番号 1020130092401
公開日 20.08.2013
特許番号
特許付与日 29.02.2016
公報種別 B1
IPC
B24B 9/06
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
9工作物の端部または斜面を研削またはバリ除去のために設計された機械または装置;そのための附属装置
02研削されるべき物体の材質の特性に関する特別な設計により特徴づけられるもの
06非金属無機材料,例.石,セラミック,磁器,の研削
B24B 47/22
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
47研削機械または装置の駆動装置または伝動装置;そのための装置
22研削開始時における砥石車または工作物の位置を正確に制御するための装置
B24B 9/10
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
9工作物の端部または斜面を研削またはバリ除去のために設計された機械または装置;そのための附属装置
02研削されるべき物体の材質の特性に関する特別な設計により特徴づけられるもの
06非金属無機材料,例.石,セラミック,磁器,の研削
08ガラスの研削
10板ガラスの研削
H01L 21/304
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
CPC
B24B 9/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
9Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
B24B 9/06
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
9Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
02characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
06of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
B24B 47/22
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
47Drives or gearings; Equipment therefor
22Equipment for exact control of the position of the grinding tool or work at the start of the grinding operation
出願人 다이토 일렉트론 가부시키가이샤
発明者 가타야마 이치로
代理人 강일우
오수안
조휘건
이상혁
이경희
優先権情報 2010109645 11.05.2010 JP
発明の名称
(KO) 웨이퍼의 모따기 장치
要約
(KO)
복수의 가공 테이블에서 병행해서 웨이퍼를 모따기 가공하고, 스루풋을 향상시키는 동시에, 숫돌의 총수를 억제해서 장치 전체의 비용이나 사이즈를 저감시키고, 유지 관리도 용이한 웨이퍼의 모따기 장치를 제공한다. 웨이퍼(1)를 얹어놓는 복수의 가공 테이블(2A∼D)과, 상기 웨이퍼(1)의 테두리를 모따기하기 위한 복수 종류의 가공 공정에 각각 대응한 다른 가공 특성을 갖는 복수의 숫돌(3,4,5,6)과, 상기 각 숫돌을 각각 상기 가공 테이블 사이에서 이동시키는 숫돌 이동수단을 갖고, 상기 각 숫돌(3,4,5,6)이, 각각 1개의 가공 테이블(2)에 접근해서 웨이퍼(1)를 모따기 가공하고, 이어서 다른 가공 테이블(2)에 차례차례 이동해서 가공하는 것을 반복함으로써, 복수의 상기 웨이퍼(1,…,1)를 상기 복수의 숫돌(3,4,5,6)이 동시 병행해서 모따기한다.