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1. (KR1020120063818) HETERO-JUNCTION SILICON SOLAR CELL AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF CAPABLE OF REDUCING RECOMBINATION VELOCITY OF SUBSTRATE SURFACE

官庁 : 大韓民国
出願番号: 1020100124966 出願日: 08.12.2010
公開番号: 1020120063818 公開日: 18.06.2012
特許番号: 1012478150000 特許付与日: 26.03.2013
公報種別: B1
IPC:
H01L 31/072
H01L 31/0216
H01L 31/042
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072
電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0216
被覆
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
042
光電池のパネルまたは配列を含むもの,例.太陽電池
CPC:
H01L 31/1804
H01L 31/202
H01L 31/0747
Y02E 10/50
出願人: HYUNDAI HEAVY INDUSTRIES CO., LTD.
현대중공업 주식회사
発明者: LEE, JOON SUNG
이준성
JU, SANG MIN
주상민
SONG, SEOK HYUN
송석현
YANG, SU MI
양수미
JUNG, SANG YOON
정상윤
AHN, SOO BEOM
안수범
LEE, KYUNG WON
이경원
代理人: 김 순 영
김영철
優先権情報:
発明の名称: (EN) HETERO-JUNCTION SILICON SOLAR CELL AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF CAPABLE OF REDUCING RECOMBINATION VELOCITY OF SUBSTRATE SURFACE
(KO) 이종접합 실리콘 태양전지 및 그 제조방법
要約: front page image
(EN) PURPOSE: A hetero-junction silicon solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve passivation characteristics by inserting an aluminum oxide film into the interface of a crystalline silicon substrate and an amorphous silicon thin film. CONSTITUTION: An front side aluminum oxide thin film layer(202) is formed on the front side of a substrate(201). The front side aluminum oxide thin film layer is composed of a pattern thin film in which a thin film of uniform thickness or an opening is included. An amorphous silicon layer(203) of a second conductive type is formed on the front side aluminum oxide thin film layer. A front side transparent conducting oxide film(204) is formed on the amorphous silicon layer of the second conductive type. A front electrode(208) is formed on the front side transparent conducting oxide film. A rear electrode(209) is formed on the rear side of the substrate. COPYRIGHT KIPO 2012
(KO) 본 발명에 따른 이종접합 태양전지는 제1 도전형의 결정질 실리콘 기판과, 상기 기판의 전면 상에 적층된 전면 AlO 박막층과, 상기 전면 AlO 박막층 상에 적층된 제2 도전형의 비정질 실리콘층과, 상기 제2 도전형의 비정질 실리콘층 상에 적층된 전면 투명전도산화막과, 상기 기판의 후면 상에 적층된 후면 AlO 박막층과, 상기 후면 AlO 박막층 상에 적층된 제1 도전형의 비정질 실리콘층과, 상기 제1 도전형의 비정질 실리콘층 상에 적층된 후면 투명전도산화막, 및 상기 전면 및 후면 투명전도산화막 상에 각각 구비되는 전면 전극 및 후면 전극을 포함한다. 2 3 2 3 2 3 2 3